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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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SML-H10TB概述
Rohm Semiconductor的SML-H10TB是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）32 V，集电极暗电流0.5 mA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗80 MW.有关SML-H10TB的更多详细信息，
SML-H10TB参数
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Surface Mount Type
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Phototransistors
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 32 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 0.5 mA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
SML-H10TB规格书
SML-H10TB厂家介绍
Rohm于1958年在京都成立，较初是一家小型电子元件制造商。1967年，生产扩大到包括晶体管和二极管，1969年，集成电路和其他半导体产品加入到产品线中。两年后（1971年），该公司打破传统的日本商业文化，在硅谷建立了销售办事处和IC设计中心，从而进入美国市场。通过其年轻员工的辛勤工作和热情奉献，业务蓬勃发展，引起了业界的关注。罗姆的海外扩张很快成为其他公司的模板，并较终被接受为普遍的商业惯例。
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图片名称分类制造商参数描述
- RPT-37PB3F光电晶体管ROHM Semiconductor
材料: Silicon
来自Rohm Semiconductor的RPT-37PB3F是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为32 V，集电极暗电流为0.5 uA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，功耗为150 MW.有关RPT-37PB3F的更多详细信息，请参阅下文。
- OP538FB光电晶体管TT Electronics
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来自TT Electronics的OP538FB是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为225 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为2.3至20.5 mA.有关OP538FB的更多详细信息，请参见下文。
- OP538FC光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 to 935 nm
来自TT Electronics的OP538FC是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为225 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为1.1 mA.有关OP538FC的更多详情，请参见下文。
- OP798A光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP798A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为4.9 mA至15 mA.有关OP798A的更多详情，请参见下文。
- SFH 3015FA光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 770 to 1090 nm
OSRAM的SFH 3015FA是一种光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15至30 V，集电极发射极电压（饱和）为170 MV，发射极集电极电压（击穿）为7 V，波长（光谱灵敏度）为770至1090 nm.有关SFH 3015FA的更多详细信息，请参阅下文。
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