- 欧司朗
- Roithner Lasertechnik
- Kingfisher International Pty Ltd
- Axetris AG
- DYNA Image Corporation
- Edison Opto
- Epistar
- Lextar Electronics Corporation
- OTRON
- SemiLEDs Corporation
- Chips 4 Light
- 法兰克福激光公司
- IMM Photonics GmbH
- Lumileds
- AP Technologies Ltd
- Bentham Instruments Ltd
- Plessey Semiconductors Ltd
- Prizmatix
- Craft Center Sawaki Inc
- Dowa Electronics Materials Co Ltd
- Hamamatsu Photonics
- Kyosemi Opto America Corp
- Nichia Corporation
- ROHM Semiconductor
- Shinkoh Electronics
- Stanley Electric
- Toshiba Corporation
- AVIS Co., Ltd.
- Optowell
- Seoul Semiconductor
- LED Microsensor NT LLC
- HGC (Singapore) Technology
- 亿光电子
- Transerve Industries Co Ltd
- Boston Electronics
- Broadcom
- CCS
- Clairex Technologies
- Cree
- Cree LED
- Crystal IS, Inc.
- Innovations in Optics
- JKL Components Corp
- kingbrightusa
- Lasermate Group Inc
- Light in Motion
- Lightspeed Technologies Inc
- LITE-ON
- Lumex
- Marktech Optoelectronics
- OSI Laser Diode, Inc.
- OSI Optoelectronics
- Samsung Semiconductors
- Sensor Electronic Technology Inc (SETi)
- Sutter Instrument
- Texas Photonics
- 索雷博
- Vishay Intertechnology
-
专业选型
-
正规认证
-
品质保障
-
1300纳米边缘发射的LED
厂家：OSI Laser Diode, Inc.
-
SR65-7SG8016D26
厂家：Optowell
-
XG52-S2121-SD-BZ-23
厂家：Optowell
-
XG52-S2121-SD-BZ-24
厂家：Optowell
-
XR65-F2121-SD-B-12
厂家：Optowell
-
SR65-D25C415-A3
厂家：Optowell
光电查为您提供9337个产品。下载资料，获取报价，实现功能、价格及供应的优化选择。
-
LA NI13WP3 发光二极管
光大道Premium Edition LED系列设计为高性能消费者应用. 显著的光提取是通过具有垂直芯片结构的特定顶部排放设计达到的. 由于与芯片大小相比,这种死因可以在极高的电流下驱动,因此可以获得未偿成本与性能比.
-
LA NI14DP1 发光二极管
光大道Premium版系列设计为高性能的消费者应用. 这个装置是伽勒阿斯双异极技术的红外850纳米射电二极管,具有高光度功率和高速. 上面的保证板是阳极
-
LA NI14HP1 发光二极管
光大道Premium版系列设计为高性能的消费者应用. 这个装置是GaAlAs技术的红外850纳米的射电二极管,在GaP底质上具有高光度的功率. 两人的联络人都位于死者的顶部. 良好的流分配是通过使用流散结构来实现的.
-
LA NI14WP1 发光二极管
光大道Premium Edition LED系列设计为高性能消费者应用. 显著的光提取是通过具有垂直芯片结构的特定顶部排放设计达到的. 由于与芯片大小相比,这种死因可以在极高的电流下驱动,因此可以获得未偿成本与性能比.
-
LA NI150EP1 发光二极管
显著的光提取是通过具有垂直芯片结构和同质电流分布的特定顶部排放设计达到的. 此外,LED死亡显示其良好的可靠性,并且可以以极高的电流密度运行
-
LA NI20WP3 发光二极管
光大道Premium Edition LED系列设计为高性能消费者应用. 显著的光提取是通过具有垂直芯片结构的特定顶部排放设计达到的. 由于与芯片大小相比,这种死因可以在极高的电流下驱动,因此可以获得未偿成本与性能比.
-
LA NI43WP3 发光二极管
光大道Premium Edition LED系列设计为高性能消费者应用. 显著的光提取是通过具有垂直芯片结构的特定顶部排放设计达到的. 由于与芯片大小相比,这种死因可以在极高的电流下驱动,因此可以获得未偿成本与性能比.
-
LA OI13WP3 发光二极管
光大道Premium Edition LED系列设计为高性能消费者应用. 显著的光提取是通过具有垂直芯片结构的特定顶部排放设计达到的. 由于与芯片大小相比,这种死因可以在极高的电流下驱动,因此可以获得未偿成本与性能比.
-
LA OI43WP3 发光二极管
光大道Premium Edition LED系列设计为高性能消费者应用. 显著的光提取是通过具有垂直芯片结构的特定顶部排放设计达到的. 由于与芯片大小相比,这种死因可以在极高的电流下驱动,因此可以获得未偿成本与性能比.
-
LA PG12WP5 发光二极管
光大道Premium Edition LED系列设计为高性能消费者应用. 显著的光提取是通过具有垂直芯片结构的特定顶部排放设计达到的. 由于与芯片大小相比,这种死因可以在极高的电流下驱动,因此可以获得未偿成本与性能比.
-
LA PI14WP1 发光二极管
显著的光提取是通过具有垂直芯片结构和同质电流分布的特定顶部排放设计达到的. 此外,LED死亡显示其良好的可靠性,并且可以以极高的电流密度运行
-
LA PI42WP1 发光二极管
显著的光提取是通过具有垂直芯片结构和同质电流分布的特定顶部排放设计达到的. 此外,LED死亡显示其良好的可靠性,并且可以以极高的电流密度运行
-
LA PI45WP2 发光二极管
显著的光提取是通过具有垂直芯片结构和同质电流分布的特定顶部排放设计达到的. 此外,LED死亡显示其良好的可靠性,并且可以以极高的电流密度运行
-
LA PL150TGD 发光二极管
LA PL150TGD 120° True Green Point source LED(525 nm) 芯片4光电的品牌 点源 0402 LED 设计用于
-
LA PL240TGD 发光二极管
LA PL240TGD 140° True Green Point source LED(525 nm) 芯片4光电的品牌 点源 0402 LED 设计用于
-
LA QI14WP2 发光二极管
显著的光提取是通过具有垂直芯片结构和同质电流分布的特定顶部排放设计达到的. 此外,LED死亡显示其良好的可靠性,并且可以以极高的电流密度运行
-
LA QI45WP2 发光二极管
显著的光提取是通过具有垂直芯片结构和同质电流分布的特定顶部排放设计达到的. 此外,LED死亡显示其良好的可靠性,并且可以以极高的电流密度运行
-
LA RI14IP2 发光二极管
显著的光提取是通过具有垂直芯片结构和同质电流分布的特定顶部排放设计达到的. 此外,LED死亡显示其良好的可靠性,并且可以以极高的电流密度运行
-
LA RI14WP2 发光二极管
显著的光提取是通过具有垂直芯片结构和同质电流分布的特定顶部排放设计达到的. 此外,LED死亡显示其良好的可靠性,并且可以以极高的电流密度运行
-
LA RI42IP1 发光二极管
显著的光提取是通过具有垂直芯片结构和同质电流分布的特定顶部排放设计达到的. 此外,LED死亡显示其良好的可靠性,并且可以以极高的电流密度运行