半导体激光器驱动器

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  • iC-WKM M型连续波激光二极管驱动器 半导体激光器驱动器

    iC-WKM M型连续波激光二极管驱动器

    德国
    厂家:iC-Haus GmbH
    供电电压范围: 3.6V-15V 激光二极管电流范围: 0-350mA 监控电流范围: 2.5μA-6.25mA 工作温度范围: -40°C to 85°C 存储温度范围: -40°C to 150°C

    iC-WKM是一款用于连续波操作的激光二极管驱动器,支持高达350mA的激光电流,适用于蓝色激光二极管和其他类型的激光二极管。

  • iC-WKN 15 V连续波激光二极管驱动器 半导体激光器驱动器

    iC-WKN 15 V连续波激光二极管驱动器

    德国
    厂家:iC-Haus GmbH
    工作电压范围: 2.4...15V 最大激光驱动电流: 300mA 软启动时间: 70µs 监控电流范围: 2.5µA...6.25mA 功率控制精度: <1.5%

    iC-WKN是一款用于激光二极管的驱动器,支持高达300mA的连续波操作,适用于多种激光二极管配置,具有多种保护功能和高精度的功率控制。

  • iC-WKP 15V CW P型激光二极管驱动器 半导体激光器驱动器

    iC-WKP 15V CW P型激光二极管驱动器

    德国
    厂家:iC-Haus GmbH
    电源电压: 3-15V 激光驱动电流: -350至-10mA 无负载电流: 5mA 复位后电流: 2.4mA 反向电源电流: -15至-3mA

    iC-WKP是一款用于连续波(CW)操作的激光二极管驱动器,支持高达350mA的激光电流,电源电压范围为3至15V。该驱动器优化用于P型激光二极管,允许激光二极管外壳接地。

  • iC-WK、iC-WKL 2.4V CW激光二极管驱动器 半导体激光器驱动器

    iC-WK、iC-WKL 2.4V CW激光二极管驱动器

    德国
    厂家:iC-Haus GmbH
    供电电压范围: 2.4V-6V 最大激光二极管电流: 90mA 监控电流范围: 10μA-2.5mA 工作温度范围: -40°C至85°C 存储温度范围: -40°C至150°C

    iC-WK和iC-WKL是一款连续波激光二极管驱动器,支持2.4V至6V的宽电源电压范围,具有高精度控制回路和多种保护功能,适用于电池供电的激光模块、激光指示器、激光水平仪和条形码阅读器等应用。

  • iC-WJB 2.7V激光二极管驱动器 半导体激光器驱动器

    iC-WJB 2.7V激光二极管驱动器

    德国
    厂家:iC-Haus GmbH
    供电电压: 2.7...6V 反向电压: -3V 电流(VCC): -500...50mA 电流(CI): -4...4mA 电流(KLD): -4...400mA

    iC-WJB是一款用于激光二极管的驱动IC,支持连续或脉冲操作,频率高达300kHz,具有宽电源电压范围和多种保护功能,适用于电池供电的激光模块和激光指示器。

  • iC-NZP P型激光二极管驱动器 半导体激光器驱动器

    iC-NZP P型激光二极管驱动器

    德国
    厂家:iC-Haus GmbH
    电源电压: 3...5.5V 最大激光电流: 300mA 工作温度范围: -20...85°C 存储温度范围: -40...190°C 电流限制电阻: 2.5kΩ...9kΩ

    iC-NZP是一款用于P型激光二极管的驱动器,支持连续波(CW)和高达155MHz的脉冲模式操作,具有尖峰抑制、激光电流限制和多种控制模式。

  • iC-HTG 半导体激光器驱动器

    iC-HTG

    德国
    厂家:iC-Haus GmbH
    供电电压范围: 3-24V 模拟调制频率: ≤50kHz 温度范围: -40至85°C 电流监控分辨率: 10位对数 电流消耗(待机模式): ≤10µA

    iC-HTG是一款高性能的连续波激光二极管驱动器,支持外部功率晶体管,具有自动电流控制(ACC)和自动功率控制(APC)功能,适用于多种激光二极管和LED应用。

  • iC-HT双CW激光二极管驱动器 半导体激光器驱动器

    iC-HT双CW激光二极管驱动器

    德国
    厂家:iC-Haus GmbH
    工作电压范围: 2.8V至11V 单通道连续电流: 750mA 双通道组合电流: 1500mA 控制环路精度: <1% 工作温度范围: -40°C至85°C

    iC-HT是一款双通道连续波激光二极管驱动器,支持高达750mA的单通道电流或1500mA的双通道组合电流,适用于多种激光二极管和LED模块的驱动。

  • iC-HN短脉冲1.4A激光驱动器 半导体激光器驱动器

    iC-HN短脉冲1.4A激光驱动器

    德国
    厂家:iC-Haus GmbH
    允许供电电压: 3-5.5V 静态供电电流: 32-55mA 激光二极管电流: 1.4A 饱和电压: 1.26V 漏电流: <1000μA

    iC-HN是一款短脉冲激光驱动器,支持高达1.4A的脉冲电流,具有无尖峰切换特性,适用于激光二极管的精确电流控制。

  • P型硅PIN四象限探测器 有效区域直径3.5 mm 半导体激光器驱动器

    P型硅PIN四象限探测器 有效区域直径3.5 mm

    存储温度范围: -54°C至+125°C 工作温度: -54°C至+100°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds 供电电压: +250 Volts 供电电压: 180 Volts

    这是一款硅P型PIN四象限探测器,专为精密制导和激光跟踪应用设计。

  • QLF1335-AE光纤耦合组件 半导体激光器驱动器

    QLF1335-AE光纤耦合组件

    光输出功率: 10mW LD正向电流: 300mA 激光二极管反向电压: 2V 光电二极管正向电流: 2mA PD反向电流: 5mA

    QLF1335-AE是一款1310nm量子点激光二极管,专为极高温环境设计,采用TO-56封装,内置监控光电二极管以实现光功率控制,并通过镜头盖实现气密封装。量子点技术使其具备优异的温度特性和低功耗。

  • TXPI 1262双LED发射器,660 nm/940 nm 半导体激光器驱动器

    TXPI 1262双LED发射器,660 nm/940 nm

    存储温度: -40°C to +80°C 外壳工作温度: -40°C to +80°C 绝对最大额定值-焊接温度: 240°C, 3 seconds 反向电压: 5 Volts 正向电压(660nm): 1.8-2.4 Volts

    这是一款双波段高辐射660 nm可见光和940 nm红外发射LED组件,专为医疗比率测量设计。

  • TXPI 1035 NPN光电晶体管 半导体激光器驱动器

    TXPI 1035 NPN光电晶体管

    存储温度: -55°C to +125°C 外壳工作温度: -40°C to +85°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds 供电电压: +10 Volts 工作供电电压: +0 to +6 Volts

    This is a Silicon Phototransistor designed for applications requiring medium gain and a wide viewing angle.

  • TXPI 1263硅PIN探测器 半导体激光器驱动器

    TXPI 1263硅PIN探测器

    反向击穿电压: 50-100Volts 响应度: 0.60-0.65A/W 响应度: 0.35-0.37A/W 暗电流: ≤5.0nA 光谱响应: undefined

    这是一款优化用于比率测量应用的硅PIN探测器,具有高响应度和高可靠性。

  • TXPI 1034 NPN光电晶体管 半导体激光器驱动器

    TXPI 1034 NPN光电晶体管

    存储温度: -55°C至+125°C 工作温度: -40°C至+85°C 引线焊接温度: 260°C, 10秒 电源电压: +30V 集电极-发射极击穿电压: 60V

    这是一款硅光电晶体管,专为需要中等增益和宽视角的应用而设计。

  • Lantana一体式紧凑型可见光激光器 半导体激光器驱动器

    Lantana一体式紧凑型可见光激光器

    波长: 532±2nm 波长: 561±2nm 波长: 594±2nm 波长: 532±2nm 波长: 561±2nm

    Lantana系列是一款超紧凑、轻量化的可见光激光器,集成驱动器,适用于多种生物医学和光学应用。

  • TXPI 1264硅PIN探测器 半导体激光器驱动器

    TXPI 1264硅PIN探测器

    反向击穿电压: 50-100Volts 响应度: 0.60-0.65A/W (λ=900nm) 响应度: 0.35-0.37A/W (λ=660nm) 暗电流: ≤100.0nA 光谱响应: 400-1100nm

    这是一款大面积硅PIN探测器,专为需要高响应度和高可靠性的比率测量应用而优化。

  • TXPI 1261双LED发射器,660 nm/895 nm 半导体激光器驱动器

    TXPI 1261双LED发射器,660 nm/895 nm

    正向电压(660nm): 1.8-2.4V 正向电压(895nm): 1.3-1.7V 反向击穿电压(660nm): 5V 反向击穿电压(895nm): 5V 辐射通量(660nm): 1.5-1.9mW

    这是一款双波长高辐射660 nm可见光和895 nm红外发射LED组件,专为医疗比率测量设计。

  • TXPI 1027 铟镓砷磷 1050 nm发光二极管 半导体激光器驱动器

    TXPI 1027 铟镓砷磷 1050 nm发光二极管

    正向电压: 1.2-2.0 反向电压: 3.0 半功率角: 12 DEG 电容: 70 pF 总光功率: 0.1-0.3 mW

    这是一款高辐射InGaAs红外LED,适用于需要1050 nm发射和快速响应时间的应用。

  • 1050 nm发光二极管 表面贴装 1206封装 半导体激光器驱动器

    1050 nm发光二极管 表面贴装 1206封装

    存储温度: -55°C to +100°C 外壳工作温度: -40°C to +85°C 引线焊接温度: 260°C, 10 seconds 连续正向电流: 100mA 反向电压: 3V

    这是一款1050 nm红外1206封装表面贴装LED,专为需要小型红外LED的应用而优化。