收藏 
下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
全部产品分类
OP798A概述
来自TT Electronics的OP798A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为4.9 mA至15 mA.有关OP798A的更多详情，
OP798A参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 1.7 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 4.9 to 15 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 890 nm
OP798A规格书
OP798A厂家介绍
我们通过全球专家网络和世界较好的设施为客户提供工程支持和专业知识。
相关内容
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- OP505B光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP505B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.15至5.95 mA.有关OP505B的更多详细信息，请参见下文。
- BPW36光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
Light In Motion的BPW36是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为1 mA，功耗为300至600 MW.有关BPW36的更多详细信息，请参阅下文。
- SFH 3211 FA光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 750 to 1120 nm
来自OSRAM的SFH 3211 FA是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为35 V，集电极暗电流为1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为150 MV，功耗为165 MW，波长（光谱灵敏度）为750至1120 nm.有关SFH 3211 FA的更多详细信息，请参阅下文。
- L-3DP3BT光电晶体管kingbrightusa
材料: Silicon
KingbrightUSA的L-3DP3BT是一种光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.8 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.2 mA.有关L-3DP3BT的更多详细信息，请参阅下文。
- KPT081M32光电晶体管Kyoto Semiconductors
波长（光谱灵敏度）: 400 to 1000 nm
Kyoto Semiconductors的KPT081M32是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为20 V，集电极暗电流为5至200 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，功耗为75 MW.有关KPT081M32的更多详细信息，请参阅下文。
相关文章
什么是光达林顿晶体管（Photodarlington Transistor）？
光达林顿晶体管是一种特殊类型的光电晶体管，它将一个光电晶体管与另一个双极结型晶体管 (BJT) 组成达林顿对配置。
光电晶体管的热阻是指其将热量从有源区传导到周围环境的能力。这是一个量化光电晶体管散热能力的参数。
晶体技术引领下一代OLED：中国科学家开发高性能晶体白色OLED
中国科学家近期在《光科学与应用》杂志上发布的研究成果显示，他们成功开发出了一种高性能的晶体白色有机发光二极管（OLED）。通过采用热激活延迟荧光（TADF）材料和橙色磷光掺杂剂的创新技术，并结合晶体主体基质中嵌入的纳米聚集体结构，这项技术实现了对发光行为的有效控制，提高了器件性能，包括更高的亮度和光子输出效率。