光电二极管-理想技术应用-优质供应商-光电查

VIS-InGaAs PIN光电二极管（0.6 μm - 1.7 μm）

德国

分类：光电二极管

厂家：ANDANTA GmbH

光谱范围: 0.6-1.7μm 光谱范围: 0.6-1.7μm 光谱范围: 0.6-1.7μm 光圈尺寸: Ø455μm 光圈尺寸: Ø950μm

VIS-InGaAs PIN光电二极管，适用于0.6 μm至1.7 μm的光谱范围，具有高可靠性和低漏电流，广泛应用于光功率监测、光谱分析、LIDAR等领域。

TFMD5000B硅 PIN光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂家：Three Five Materials

击穿电压: 60V 反向暗电流: 5-30nA 二极管电容: 25pF 开路电压: 350mV 开路电压温度系数: -2.6mV/K

TFMD5000是一款硅PIN光电二极管，具有超薄外形和5x4x1.1mm的整体尺寸。它可以接受PIN光电二极管芯片，活动区域最大为10mm²，并提供三种封装版本以满足不同的传感应用需求。

TFMD5000硅PIN光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂家：Three Five Materials

击穿电压: 60V 反向暗电流: 5-30nA 二极管电容: 25pF 开路电压: 350mV 开路电压温度系数: -2.6mV/K

TFMD5000是一款硅PIN光电二极管，具有超薄外形和5x4x1.1mm的整体尺寸。它可以接受PIN光电二极管芯片，活动区域最大可达10mm²，并提供三种不同封装版本以满足不同的传感应用需求。

TFMD5000R硅 PIN光电二极管

美国

分类：光电二极管

厂家：Three Five Materials

击穿电压: 60V 反向暗电流: 5-30nA 二极管电容: 25pF 开路电压: 350mV 开路电压温度系数: -2.6mV/K

TFMD5000是一款硅PIN光电二极管，具有超薄外形和5x4x1.1mm的整体尺寸。它可以接受活动面积最大为10mm²的PIN光电二极管芯片，并提供三种封装版本以满足不同的传感应用需求。

TE冷却的光电二极管S-010-TE1

美国

分类：光电二极管

厂家：Electro-Optical Systems Inc

工作温度范围: 22~-10 工作温度范围: 22~-10 工作温度范围: 22~-10 有效面积: 1mm dia 有效面积: 2mm×2mm

TE冷却光电二极管系列由高性能光电二极管探测器组成，安装在热电冷却器上，全部封装在TO-37或TO-8封装中。热敏电阻安装在TEC的冷板上，以提供精确可靠的温度监控。

硅光电倍增管PM1125-WB-C0

德国

分类：光电二极管

厂家：Ketek GmbH

有效面积: 1.0×1.0 微单元尺寸: 25 微单元数量: 1600 增益稳定性与温度: 1.315×1.315×0.595 工作电压: 约30

PM1125-WB-C0是一款高性能硅光电倍增管（SiPM），具有高光子探测效率、低电压操作和卓越的时间响应特性，适用于单光子计数、医疗成像和高能物理等领域。

硅光电倍增管PM3325-WB-D0

德国

分类：光电二极管

厂家：Ketek GmbH

有效面积: 3.0×3.0 微单元尺寸: 25 微单元数量: 13920 尺寸: 3.315×3.315×0.595 击穿电压: 21°C min.24.0, max.25.0

PM3325-WB-DO是一款高性能硅光电倍增器（SiPM），具有高光子探测效率、低电压操作和卓越的时间响应特性，适用于单光子计数、医学成像和高能物理研究等领域。

硅光电倍增管PM3315-WB-C0

德国

分类：光电二极管

厂家：Ketek GmbH

光电探测效率: 22%@2.5Vov, 31%@5.0Vov 暗计数率: 50kHz/mm²@2.5Vov, 125kHz/mm²@5.0Vov 暗电流: 0.08μA(max0.16)@2.5Vov, 0.19μA(max0.3)@5.0Vov 增益: 0.35x10⁶@2.5Vov, 0.70x10⁶@5.0Vov 串扰概率: 18%@2.5Vov, 32%@5.0Vov

PM3315-WB-C0是一款高性能硅光电倍增器（SiPM），具有高动态范围、快速恢复时间和低电压操作等特点，适用于多种光电应用场景。

快速反应光导电池

分类：光电二极管

最大电压: 250 最大功率: 200 环境温度: -30~+70 光谱峰值: 540 10Lux光阻值: 5-10

LD11A0510是一款小型镉硫化物光电导电池，具有高灵敏度和快速响应时间，适用于光依赖电阻应用。

带玻璃罩的光电二极管MID-IR PD 43-03-CG

德国

分类：光电二极管

厂家：法兰克福激光公司

截止波长: 4.4-4.8μm 最大灵敏波长: 3.6-4.1μm 暗电流: 1-6mA 并联电阻: 10-50Ω 电容: 1300-2600pF

MID-IR PD 43-03-CG是一款带玻璃盖的光电二极管，专为检测中红外波段辐射而设计，波长范围为3000至4600nm。采用窄带隙InAsSbP/InAs异质结构制成，与InAs基底晶格匹配。

带玻璃罩的光电二极管MID-IR PD 43-05-CG

德国

分类：光电二极管

厂家：法兰克福激光公司

截止波长: 4.5-4.8μm 最大灵敏波长: 3.5-4.2μm 暗电流: 8-25mA 并联电阻: 4-6Ω 电容: -pF

光电二极管PD 43-05-CG（带玻璃盖）专为检测中红外光谱范围内2600至4600nm的辐射而设计。它们由窄带隙InAsSbP/InAs异质结构制成，与InAs基底晶格匹配。

硅雪崩光电二极管SAE-, SAR-, SARF-系列

德国

分类：光电二极管

厂家：Laser Components

硅雪崩光电二极管用于250nm和1100nm之间的波长范围。这些光电二极管的雪崩效应使它们非常适合于检测极弱的光强度。不同的版本针对其各自的波长范围进行优化。

光电二极管MID-IR PD 25-05-PA

德国

分类：光电二极管

厂家：法兰克福激光公司

截止波长: 2.5μm 最大灵敏波长: 1.65-2.35μm 暗电流: 1-7μA 并联电阻: 40-90kΩ 电容: 150-250pF

MID-IR PD 25-05-PA是一款专为检测1000至2500nm中红外光谱辐射而设计的光电二极管。其内置前置放大器在光伏模式下工作（零偏置），将光电二极管产生的光电流转换为电压信号，具有线性响应特性。产品采用抛物面反射器，并封装在铝管中以提供保护和屏蔽。

光电二极管MID-IR PD 24-03-TO

德国

分类：光电二极管

厂家：法兰克福激光公司

截止波长: 2.42-2.43μm 最大灵敏波长: 1.85-2.3μm 暗电流: 10-60μA 分流电阻: 5-20kOhm 电容: 50-200pF

MID-IR PD 24-03-XX光电二极管专为检测1000至2430nm中红外光谱范围内的辐射而设计，采用窄带隙GaInAsSb/AlGaAsSb基异质结构，晶格匹配至GaAs基板。

ODD-12W红色增强型光电二极管，TO-8密封包装

美国

分类：光电二极管

厂家：Opto Diode

有效区域: 12mm² 响应度: 0.35-0.40A/W @632nm 暗电流: 3-7nA @VR=10V 反向击穿电压: 25-60V @IR=10A 电容: 25pF @VR=10V

ODD-12W是一款具有12mm²圆形光敏区域的光电二极管，采用TO-8密封封装，具有低电容特性，适用于精密光电应用。

ODD-1红色增强型光电二极管，TO-18封装

美国

分类：光电二极管

厂家：Opto Diode

有效区域: 1.35mm×0.76mm 响应度: @632nm 0.36-0.40A/W 暗电流: VR=10V 0.2-1nA 反向击穿电压: IR=10A 25-60V 电容: VR=10V 0.2-2pF

ODD-1是一款高性能光电二极管，具有低暗电流和低电容特性，适用于精密光电应用。

光电二极管MID-IR PD 41-03-PA

德国

分类：光电二极管

厂家：法兰克福激光公司

光电二极管PD 41-03设计用于检测3000至4100nm中红外光谱范围内的辐射。前置放大器（-PA）在光伏模式下工作（零偏置）。前置放大器将光电二极管产生的电流放大并转换为电压信号。在PD电流和产生的输出电压之间存在线性对应关系。由前置放大器转换的信号将具有与来自光电二极管的光电流信号相同的形式、频率和脉冲持续时间。前置放大的光电二极管配有抛物面反射器，并封装在铝管中，用于保护和屏蔽。