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LPD3035-4
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S-200CL
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PD1300-35T52
厂家:Ushio Inc.
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LA PA180MP1
厂家:Chips 4 Light
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FCI-InGaAs-500
厂家:OSI Laser Diode, Inc.
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C30927EH系列 用于跟踪应用的四象限硅雪崩光电二极管
厂家:Excelitas Technologies
光电查为您提供2083个产品。下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。
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充甲烷气体探测器 NT52-1k-G
TO52PD检测器是一种正面发光的大面积PIN光电二极管,在1100nm-1680nm的波长范围内,具有良好的响应性,主要用于各种LD检测应用
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1.5 英寸高速响应多功能积分球 819-IG-1.5-800PS
819 多功能积分球在单个积分球设备中提供多种测量能力,非常适合 LIV 测试和其他发散光源(例如 VCSEL)测量。该积分球包含用于校准平均功率测量的精密光电二极管、用于在示波器上表征脉冲形状的快速光电二极管以及内置 SMA 光纤适配器。
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1.5 英寸高速响应多功能积分球 819-SL-1.5-800PS
819 多功能积分球在单个积分球设备中提供多种测量能力,非常适合 LIV 测试和其他发散光源(例如 VCSEL)测量。该积分球包含用于校准平均功率测量的精密光电二极管、用于在示波器上表征脉冲形状的快速光电二极管以及内置 SMA 光纤适配器。
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黑硅光电二极管
ElFys PD 系列光电二极管采用 ElFys 专利黑硅诱导结技术,在深紫外、可见光至近红外的宽波长范围内提供出色的光响应性能,适用于多种高精度光度测量应用。该型号具有低电容特性。
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黑硅光电二极管
ElFys PD 系列光电二极管采用 ElFys 专利黑硅诱导结技术,在深紫外、可见光至近红外的宽波长范围内提供出色的光响应性能,适用于多种高精度光度测量应用。该型号具有低暗电流特性。
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黑硅光电二极管
ElFys PD 系列光电二极管采用 ElFys 专利黑硅诱导结技术,在深紫外、可见光至近红外的宽波长范围内提供出色的光响应性能,适用于多种高精度光度测量应用。该型号具有低电容、带保护环,可在高反向偏压下保持低暗电流特性。
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黑硅光电二极管
ElFys PD 系列光电二极管采用 ElFys 专利黑硅诱导结技术,在深紫外、可见光至近红外的宽波长范围内提供出色的光响应性能,适用于多种高精度光度测量应用。该型号具有低暗电流、带保护环,可在高反向偏压下保持低暗电流特性。
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LA PD29395HP1 光电二极管
光大道Premium版探测器系列设计为高性能的消费者应用. 这个装置是双倍PIN光二极管芯片,具有高光度敏感度,低电容和高频范围. 它对可见和近红外光敏感
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LA PD80FP1 光电二极管
光大道Premium版探测器系列设计为高性能的消费者应用. 这种芯片是高灵敏度的PIN光二极管芯片,峰值灵敏度为950nm. 阳极和阴极位于芯片底部.
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APD
响应波长: 400-1100nm我司平衡探测(BPD)器件和模组,具有:共模抑制比高、带宽大、暗电流小、高低温环境下可靠性高等特点。 高速光电探测PD的最高带宽可达40GHz以上,具有:响应度高、大驻波比、体积小、重量轻、高低温环境下可靠性高等特点。 高速光电探测APD,主要用于:OTDR、数据通讯、测距等多种领域;具有:响应度高、增益大、带宽高、高低温环境下可靠性高等特点。 针对特殊应用领域的客户,我们专门开发了小型化的器件,以提高客户产品的适装性,也可根据客户的具体要求提供定制化开发服务。
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APD
我司平衡探测(BPD)器件和模组,具有:共模抑制比高、带宽大、暗电流小、高低温环境下可靠性高等特点。 高速光电探测PD的最高带宽可达40GHz以上,具有:响应度高、大驻波比、体积小、重量轻、高低温环境下可靠性高等特点。 高速光电探测APD,主要用于:OTDR、数据通讯、测距等多种领域;具有:响应度高、增益大、带宽高、高低温环境下可靠性高等特点。 针对特殊应用领域的客户,我们专门开发了小型化的器件,以提高客户产品的适装性,也可根据客户的具体要求提供定制化开发服务。
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高速APD
我司平衡探测(BPD)器件和模组,具有:共模抑制比高、带宽大、暗电流小、高低温环境下可靠性高等特点。 高速光电探测PD的最高带宽可达40GHz以上,具有:响应度高、大驻波比、体积小、重量轻、高低温环境下可靠性高等特点。 高速光电探测APD,主要用于:OTDR、数据通讯、测距等多种领域;具有:响应度高、增益大、带宽高、高低温环境下可靠性高等特点。 针对特殊应用领域的客户,我们专门开发了小型化的器件,以提高客户产品的适装性,也可根据客户的具体要求提供定制化开发服务。
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VIS-InGaAs PIN光电二极管(0.6 μm - 1.7 μm)
光谱范围: 0.6-1.7μm 光谱范围: 0.6-1.7μm 光谱范围: 0.6-1.7μm 光圈尺寸: Ø455μm 光圈尺寸: Ø950μmVIS-InGaAs PIN光电二极管,适用于0.6 μm至1.7 μm的光谱范围,具有高可靠性和低漏电流,广泛应用于光功率监测、光谱分析、LIDAR等领域。
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TFMD5000B硅 PIN光电二极管
击穿电压: 60V 反向暗电流: 5-30nA 二极管电容: 25pF 开路电压: 350mV 开路电压温度系数: -2.6mV/KTFMD5000是一款硅PIN光电二极管,具有超薄外形和5x4x1.1mm的整体尺寸。它可以接受PIN光电二极管芯片,活动区域最大为10mm²,并提供三种封装版本以满足不同的传感应用需求。
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TFMD5000硅PIN光电二极管
击穿电压: 60V 反向暗电流: 5-30nA 二极管电容: 25pF 开路电压: 350mV 开路电压温度系数: -2.6mV/KTFMD5000是一款硅PIN光电二极管,具有超薄外形和5x4x1.1mm的整体尺寸。它可以接受PIN光电二极管芯片,活动区域最大可达10mm²,并提供三种不同封装版本以满足不同的传感应用需求。
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TFMD5000R硅 PIN光电二极管
击穿电压: 60V 反向暗电流: 5-30nA 二极管电容: 25pF 开路电压: 350mV 开路电压温度系数: -2.6mV/KTFMD5000是一款硅PIN光电二极管,具有超薄外形和5x4x1.1mm的整体尺寸。它可以接受活动面积最大为10mm²的PIN光电二极管芯片,并提供三种封装版本以满足不同的传感应用需求。
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TE冷却的光电二极管S-010-TE1
工作温度范围: 22~-10 工作温度范围: 22~-10 工作温度范围: 22~-10 有效面积: 1mm dia 有效面积: 2mm×2mmTE冷却光电二极管系列由高性能光电二极管探测器组成,安装在热电冷却器上,全部封装在TO-37或TO-8封装中。热敏电阻安装在TEC的冷板上,以提供精确可靠的温度监控。