光电晶体管

光电晶体管主要是利用光电转化的功能晶体,它的作用是接受光信号,并转换为电信号。

相关分类

光电查为您提供188个产品。 下载资料,获取报价,实现功能、价格及供应的优化选择。

  • 光电查
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa

    KingbrightUSA的AM2520P3C03是一款LED,工作温度为-40至85摄氏度,存储温度为-40至85摄氏度。有关AM2520P3C03的更多详细信息,请联系我们。

  • 光电查
    美国
    分类:光电晶体管
    厂商:kingbrightusa

    KingbrightUSA的APL3015P3C是一款LED,工作温度为-40至85摄氏度,存储温度为-40至85摄氏度。有关APL3015P3C的更多详细信息,请联系我们。

  • 光电查
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon安装类型: Leaded光电晶体管型: Photo Transistor极性: NPNRoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPV11是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为70 V,集电极暗电流为1至50 nA,集电极发射极电压(饱和)为130至300 MV,功耗为150 MW,波长(光谱灵敏度)为450至1080 nm.有关BPV11的更多详细信息,请联系我们。

  • 光电查
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon安装类型: Leaded光电晶体管型: Photo Transistor极性: NPNRoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPV11F是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为70 V,集电极暗电流为1至50 nA,功耗为150 MW,波长(光谱灵敏度)为900至980 nm.有关BPV11F的更多详细信息,请联系我们。

  • 光电查
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon安装类型: Leaded光电晶体管型: Photo Transistor极性: NPNRoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPW76A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.15至0.3 V,功耗250 MW,波长(光谱灵敏度)450至1080 nm.有关BPW76A的更多详细信息,请联系我们。

  • 光电查
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon安装类型: Leaded光电晶体管型: Photo Transistor极性: NPNRoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPW76B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.15至0.3 V,功耗250 MW,波长(光谱灵敏度)450至1080 nm.有关BPW76B的更多详细信息,请联系我们。

  • 光电查
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon安装类型: Leaded光电晶体管型: Photo Transistor极性: NPNRoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPW85是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关BPW85的更多详细信息,请联系我们。

  • 光电查
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon安装类型: Leaded光电晶体管型: Photo Transistor极性: NPNRoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPW85A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关BPW85A的更多详细信息,请联系我们。

  • 光电查
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon安装类型: Leaded光电晶体管型: Photo Transistor极性: NPNRoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPW85B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关BPW85B的更多详细信息,请联系我们。

  • 光电查
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon安装类型: Leaded光电晶体管型: Photo Transistor极性: NPNRoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的BPW85C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关BPW85C的更多详细信息,请联系我们。

  • 光电查
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon安装类型: Chip光电晶体管型: Photo Transistor极性: NPNRoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的T1070P是一款光电晶体管,其集电极发射极电压(击穿)为6 V,集电极暗电流为3至50 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.1 V,发射极集电极电压(击穿)为1.5 V,波长(光谱灵敏度)为440至800 nm.有关T1070P的更多详细信息,请联系我们。

  • 光电查
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon安装类型: Chip光电晶体管型: Photo Transistor极性: NPNRoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的T1090P6是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为80 V,集电极暗电流为1至50 nA,发射极集电极电压(击穿)为7.8 V,波长(光谱灵敏度)为620至1000 nm.有关T1090P6的更多详细信息,请联系我们。

  • 光电查
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon安装类型: Chip光电晶体管型: Photo Transistor极性: NPNRoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的T5096P是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为85 V,集电极暗电流为1至50 nA,发射极集电极电压(击穿)为7.8 V,波长(光谱灵敏度)为480至1080 nm.有关T5096P的更多详细信息,请联系我们。

  • 光电查
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon安装类型: Leaded光电晶体管型: Photo Transistor极性: NPNRoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEFT4300是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关TEFT4300的更多详细信息,请联系我们。

  • 光电查
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon安装类型: Surface Mount光电晶体管型: Photo Transistor极性: NPNRoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEMT1000是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.下面可以看到TEMT1000的更多详细信息。

  • 光电查
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon安装类型: Surface Mount光电晶体管型: Photo Transistor极性: NPNRoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEMT1020是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.下面可以看到TEMT1020的更多详细信息。

  • 光电查
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon安装类型: Surface Mount光电晶体管型: Photo Transistor极性: NPNRoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEMT1030是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.下面可以看到TEMT1030的更多详细信息。

  • 光电查
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon安装类型: Surface Mount光电晶体管型: Photo Transistor极性: NPNRoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEMT1040是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至200 nA,集电极发射极电压(饱和)0.3 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.下面可以看到TEMT1040的更多详细信息。

  • 光电查
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon安装类型: Surface Mount光电晶体管型: Photo Transistor极性: NPNRoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的TEMT7100ITX01是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为20 V,发射极集电极电压(击穿)为7 V,功耗为100 MW,波长(光谱灵敏度)为750至1010 nm.有关TEMT7100ITX01的更多详细信息,请联系我们。

  • 光电查
    美国
    分类:光电晶体管
    材料: Silicon安装类型: Surface Mount光电晶体管型: Photo Transistor极性: NPNRoHS: Yes

    Vishay Intertechnology的VEMT3700F是一款硅NPN光电晶体管,光谱带宽为870至1050 nm.它具有与870至950 nm红外发射器匹配的日光阻挡滤光片,并且具有±60度的半灵敏度角度。该光电晶体管的最小集电极-发射极(C-E)击穿电压为70 V,C-E暗电流高达200 nA,C-E电容为3 PF.上升/下降时间为2-6μs,截止频率为180 kHz.这款光电晶体管采用表面贴装微型PLCC-2封装,尺寸为3.5 X 2.8 X 1.75 mm,非常适合光断续器、微型开关、计数器、编码器和位置传感器应用。

  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
  • 10