光电晶体管

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参数:
  • 集电极发射极电压(击穿)

    Collector Emitter Voltage (Breakdown)(V)

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  • 集电极发射极电压(饱和)

    Collector Emitter Voltage(Saturation)(mV)

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  • 集电极暗电流

    Collector-Dark Current(nA)

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  • 发射极集电极电压(击穿)

    Emitter Collector Voltage(Breakdown)(V)

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  • 导通状态集电极电流

    On-State Collector Current(mA)

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  • 波长(光谱灵敏度)

    Wavelength(Spectral Sensitivity)(nm)

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  • XRNI82B 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂家:SunLED
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V

    SunLED的XRNI82B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.4 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关XRNI82B的更多详细信息,请联系我们。

  • BPW76B 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 70 V

    Vishay Intertechnology的BPW76B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)70 V,集电极暗电流1至100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.15至0.3 V,功耗250 MW,波长(光谱灵敏度)450至1080 nm.有关BPW76B的更多详细信息,请联系我们。

  • PT008-SMC 光电晶体管
    日本
    分类:光电晶体管
    厂家:牛尾
    安装类型: Chip, Leaded 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V 集电极暗电流: 200 nA

    来自Ushio Inc.的PT008-SMC是具有集电极发射极电压(击穿)30V、集电极暗电流200nA、集电极发射极电压(饱和)0.3V、发射极集电极电压(击穿)5V、导通状态集电极电流10mA的光电晶体管。有关PT008-SMC的更多详细信息,请联系我们。

  • RPM-22PB 光电晶体管
    日本
    分类:光电晶体管
    安装类型: Surface Mount Type 光电晶体管型: Phototransistors 集电极发射极电压(击穿): 32 V 集电极暗电流: 0.5 µA 发射极集电极电压(击穿): 5 V

    Rohm Semiconductor的RPM-22PB是一种光电晶体管,其峰值灵敏度波长为800 nm.它的光电流为0.48-1.94 mA,暗电流高达0.5μA,集电极-发射极饱和电压高达0.4 V.该光电晶体管具有Ø1.5透镜,半角为±32度,响应时间为10μs.它采用尺寸为4.7 X 4.6 X 2.5 mm的封装,非常适合传感器应用的光学控制设备和接收器。

  • OP301SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂家:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 0.4 mW/cm2 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP301SL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为15 V,集电极暗电流为1µA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.8至2.4 mA.有关OP301SL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP505D 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂家:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP505D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.55 mA.有关OP505D的更多详细信息,请联系我们。

  • OP506D 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂家:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP506D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.55 mA.有关OP506D的更多详细信息,请联系我们。

  • OP508FB 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂家:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP508FB是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.4 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.65至5.1 mA.有关OP508FB的更多详细信息,请联系我们。

  • OP552A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂家:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP552A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V、集电极暗电流100 nA、集电极发射极电压(饱和)0.40 V、发射极集电极电压(击穿)5 V、功耗100 MW.有关OP552A的更多详情,请联系我们。

  • OP555A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂家:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP555A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流2.55 mA.有关OP555A的更多详情,请联系我们。

  • OP598A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂家:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1.7 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP598A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)25 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流7.5 mA.有关OP598A的更多详情,请联系我们。

  • OP705B 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂家:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP705B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为2.65至7.25 mA.有关OP705B的更多详情,请联系我们。

  • OP705D 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂家:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP705D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.5至12 mA.有关OP705D的更多详情,请联系我们。

  • OP750A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂家:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    TT Electronics的OP750A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流2.25至7 mA.有关OP750A的更多详情,请联系我们。

  • OP770A 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂家:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP770A是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流2.25至7 mA.有关OP770A的更多详情,请联系我们。

  • OP770B 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂家:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 1 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP770B是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流1.5至4.2 mA.有关OP770B的更多详情,请联系我们。

  • OP800SL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂家:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP800SL是一款光电晶体管,集电极暗电流为100 nA,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.5 mA,功耗为250 MW.有关OP800SL的更多详细信息,请联系我们。

  • OP800WSL 光电晶体管
    加拿大
    分类:光电晶体管
    厂家:TT Electronics
    输入功率(辐照度): 5 mW/cm2 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

    来自TT Electronics的OP800WSL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.3 mA.有关OP800WSL的更多详细信息,请联系我们。

  • XZRNI56W-1 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    厂家:SunLED
    安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 30 V 集电极暗电流: 100 nA

    SunLED的XZrNi56W-1是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.8 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,功耗100 MW.有关XZrNi56W-1的更多详细信息,请联系我们。

  • NTE3036 光电晶体管
    美国
    分类:光电晶体管
    安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN RoHS: Yes 集电极发射极电压(击穿): 50 V

    NTE Electronics,Inc的NTE3036是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)50 V,集电极暗电流10至100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.6至1 V,发射极集电极电压(击穿)10至15.5 V,功耗250 MW.有关NTE3036的更多详细信息,请联系我们。