光电晶体管-光电传感器-光电技术解决方案-光电查

AM2520P3C03

美国

分类：光电晶体管

厂商：kingbrightusa

KingbrightUSA的AM2520P3C03是一款LED，工作温度为-40至85摄氏度，存储温度为-40至85摄氏度。有关AM2520P3C03的更多详细信息，请联系我们。

APL3015P3C

美国

分类：光电晶体管

厂商：kingbrightusa

KingbrightUSA的APL3015P3C是一款LED，工作温度为-40至85摄氏度，存储温度为-40至85摄氏度。有关APL3015P3C的更多详细信息，请联系我们。

BPV11

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的BPV11是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为70 V，集电极暗电流为1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为130至300 MV，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为450至1080 nm.有关BPV11的更多详细信息，请联系我们。

BPV11F

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的BPV11F是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为70 V，集电极暗电流为1至50 nA，功耗为150 MW，波长（光谱灵敏度）为900至980 nm.有关BPV11F的更多详细信息，请联系我们。

BPW76A

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的BPW76A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.15至0.3 V，功耗250 MW，波长（光谱灵敏度）450至1080 nm.有关BPW76A的更多详细信息，请联系我们。

BPW76B

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的BPW76B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.15至0.3 V，功耗250 MW，波长（光谱灵敏度）450至1080 nm.有关BPW76B的更多详细信息，请联系我们。

BPW85

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的BPW85是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关BPW85的更多详细信息，请联系我们。

BPW85A

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的BPW85A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关BPW85A的更多详细信息，请联系我们。

BPW85B

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的BPW85B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关BPW85B的更多详细信息，请联系我们。

BPW85C

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的BPW85C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关BPW85C的更多详细信息，请联系我们。

T1070P

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Chip 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的T1070P是一款光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为6 V，集电极暗电流为3至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.1 V，发射极集电极电压（击穿）为1.5 V，波长（光谱灵敏度）为440至800 nm.有关T1070P的更多详细信息，请联系我们。

T1090P6

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Chip 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的T1090P6是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为80 V，集电极暗电流为1至50 nA，发射极集电极电压（击穿）为7.8 V，波长（光谱灵敏度）为620至1000 nm.有关T1090P6的更多详细信息，请联系我们。

T5096P

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Chip 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的T5096P是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为85 V，集电极暗电流为1至50 nA，发射极集电极电压（击穿）为7.8 V，波长（光谱灵敏度）为480至1080 nm.有关T5096P的更多详细信息，请联系我们。

TEFT4300

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Leaded 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的TEFT4300是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关TEFT4300的更多详细信息，请联系我们。

TEMT1000

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的TEMT1000是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1000的更多详细信息。

TEMT1020

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的TEMT1020是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1020的更多详细信息。

TEMT1030

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的TEMT1030是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1030的更多详细信息。

TEMT1040

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的TEMT1040是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1040的更多详细信息。

TEMT7100ITX01

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的TEMT7100ITX01是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为20 V，发射极集电极电压（击穿）为7 V，功耗为100 MW，波长（光谱灵敏度）为750至1010 nm.有关TEMT7100ITX01的更多详细信息，请联系我们。

VEMT3700F

美国

分类：光电晶体管

厂商：Vishay Intertechnology

材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN RoHS: Yes

Vishay Intertechnology的VEMT3700F是一款硅NPN光电晶体管，光谱带宽为870至1050 nm.它具有与870至950 nm红外发射器匹配的日光阻挡滤光片，并且具有±60度的半灵敏度角度。该光电晶体管的最小集电极-发射极（C-E）击穿电压为70 V，C-E暗电流高达200 nA，C-E电容为3 PF.上升/下降时间为2-6μs，截止频率为180 kHz.这款光电晶体管采用表面贴装微型PLCC-2封装，尺寸为3.5 X 2.8 X 1.75 mm，非常适合光断续器、微型开关、计数器、编码器和位置传感器应用。

MTD6000PT-T

美国

分类：光电晶体管

厂商：Marktech Optoelectronics

材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

来自Marktech Optoelectronics的MTD6000PT-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.有关MTD6000PT-T的更多详细信息，请联系我们。

MTD8000N4-T

美国

分类：光电晶体管

厂商：Marktech Optoelectronics

材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

Marktech Optoelectronics的MTD8000N4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关MTD8000N4-T的更多详细信息，请联系我们。

MTD8600N-T

美国

分类：光电晶体管

厂商：Marktech Optoelectronics

材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

Marktech Optoelectronics的MTD8600N-T是一款峰值灵敏度波长为880 nm的光电晶体管。它的光谱范围为400-1100nm，开关时间（上升/下降）为10μs.该晶体管的集电极-发射极电流为3 mA，C-E饱和电压为0.2 V，集电极暗电流高达100 nA.该器件采用TO-18金属罐封装，尺寸为Ø5.4 mm，是光学开关、光学传感器、边缘检测和烟雾探测器应用的理想选择。

MTD8600N4-T

美国

分类：光电晶体管

厂商：Marktech Optoelectronics

材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

Marktech Optoelectronics的MTD8600N4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600N4-T的更多详细信息，请联系我们。

MTD8600T-T

美国

分类：光电晶体管

厂商：Marktech Optoelectronics

材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

Marktech Optoelectronics的MTD8600T-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600T-T的更多详细信息，请联系我们。

MTD8600T4-T

美国

分类：光电晶体管

厂商：Marktech Optoelectronics

材料: Metal 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

Marktech Optoelectronics的MTD8600T4-T是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关MTD8600T4-T的更多详细信息，请联系我们。

PT008-05

日本

分类：光电晶体管

厂商：牛尾

材料: Clear Epoxy Resin 安装类型: Chip, Leaded 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

来自Ushio Inc.的PT008-05是具有集电极发射极电压（击穿）30V、集电极暗电流100nA、集电极发射极电压（饱和）0.2V、发射极集电极电压（击穿）5V、导通状态集电极电流10mA的光电晶体管。有关PT008-05的更多详细信息，请联系我们。

PT008-SMC

日本

分类：光电晶体管

厂商：牛尾

材料: Silicone 安装类型: Chip, Leaded 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 30 V

来自Ushio Inc.的PT008-SMC是具有集电极发射极电压（击穿）30V、集电极暗电流200nA、集电极发射极电压（饱和）0.3V、发射极集电极电压（击穿）5V、导通状态集电极电流10mA的光电晶体管。有关PT008-SMC的更多详细信息，请联系我们。

PT010-05

日本

分类：光电晶体管

厂商：牛尾

材料: Clear Epoxy Resin 安装类型: Chip, Leaded 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 10 V

Ushio Inc.的PT010-05是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为10 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.3 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为10 mA.有关PT010-05的更多详细信息，请联系我们。

PT010-33

日本

分类：光电晶体管

厂商：牛尾

材料: Clear Epoxy Resin 安装类型: Chip, Leaded 光电晶体管型: Phototransistor RoHS: Yes 集电极发射极电压（击穿）: 10 V

Ushio Inc.的PT010-33是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为10 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.3 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为10 mA.有关PT010-33的更多详细信息，请联系我们。

RPM-22PB

日本

分类：光电晶体管

厂商：ROHM Semiconductor

材料: Silicon 安装类型: Surface Mount Type 光电晶体管型: Phototransistors 集电极发射极电压（击穿）: 32 V 集电极暗电流: 0.5 µA

Rohm Semiconductor的RPM-22PB是一种光电晶体管，其峰值灵敏度波长为800 nm.它的光电流为0.48-1.94 mA，暗电流高达0.5μA，集电极-发射极饱和电压高达0.4 V.该光电晶体管具有Ø1.5透镜，半角为±32度，响应时间为10μs.它采用尺寸为4.7 X 4.6 X 2.5 mm的封装，非常适合传感器应用的光学控制设备和接收器。

OP300SL

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

来自TT Electronics的OP300SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1µA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.8 mA.有关OP300SL的更多详情，请联系我们。

OP301SL

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

来自TT Electronics的OP301SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1µA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.8至2.4 mA.有关OP301SL的更多详细信息，请联系我们。

OP302SL

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

来自TT Electronics的OP302SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1µA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为1.8至5.4 mA.有关OP302SL的更多详细信息，请联系我们。

OP303SL

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

来自TT Electronics的OP303SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1µA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为3.6至12.0 mA.有关OP303SL的更多详细信息，请联系我们。

OP304SL

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

来自TT Electronics的OP304SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1µA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为7.0至21.0 mA.有关OP304SL的更多详细信息，请联系我们。

OP305SL

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 0.4 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Surface Mount 光电晶体管型: Photodarlington 极性: NPN

来自TT Electronics的OP305SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1µA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为14 mA.有关OP305SL的更多详细信息，请联系我们。

OP505A

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP505A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流4.3 mA.有关OP505A的更多详细信息，请联系我们。

OP505B

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP505B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.15至5.95 mA.有关OP505B的更多详细信息，请联系我们。

OP505C

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP505C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.1至3 mA.有关OP505C的更多详细信息，请联系我们。

OP505D

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP505D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.55 mA.有关OP505D的更多详细信息，请联系我们。

OP505W

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 0.75 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

TT Electronics的OP505W是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1 mA.有关OP505W的更多详细信息，请联系我们。

OP506A

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP506A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流4.3 mA.有关OP506A的更多详细信息，请联系我们。

OP506B

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP506B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.15至5.95 mA.有关OP506B的更多详细信息，请联系我们。

OP506C

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP506C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.1至3 mA.有关OP506C的更多详细信息，请联系我们。

OP506D

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP506D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.55 mA.有关OP506D的更多详细信息，请联系我们。

OP506W

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 0.75 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

TT Electronics的OP506W是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1 mA.有关OP506W的更多详细信息，请联系我们。

OP508FA

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

TT Electronics的OP508FA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.7 mA.有关OP508FA的更多详细信息，请联系我们。

OP508FB

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP508FB是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.65至5.1 mA.有关OP508FB的更多详细信息，请联系我们。

OP508FC

加拿大

分类：光电晶体管

厂商：TT Electronics

输入功率（辐照度）: 1 mW/cm2 材料: Silicon 安装类型: Through-Hole 光电晶体管型: Photo Transistor 极性: NPN

来自TT Electronics的OP508FC是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.34 mA.有关OP508FC的更多详情，请联系我们。