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波长范围: 970 nm 光电二极管材料: Silicon RoHS: Yes 电容: 750 pF 暗电流: 1200 nA来自OSI Optoelectronics.的S-200CL是波长范围为970 nm、电容为750 PF、暗电流为1200 nA、响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W的光电二极管。
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封装: TO-8 冷却方式: 2TE 有效区域: Φ300μm - Φ3000μm 芯片尺寸: 850×850um - 3560×3560um 电极尺寸: 140×180um - 320×480umGESTIN-2TE-TO8系列是由P-I-N结构InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器和双级热电冷却器（2TE）组成，采用TO封装形式。
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芯片有效直径: 300μm至3000μm 光谱响应: 900nm至2700nm 高旁路电阻: 高灵敏度 内置TEC: 是 工作温度: -45至+55℃GESTIN-2TE-TO8系列是高灵敏度InGaAs探测器，适用于NIR传感、LED特性测试及医疗诊断等领域。
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芯片有效直径: 300μm to 3000μm 光谱响应: 900nm to 2700nm 高旁路电阻: 高灵敏度 TEC内部构建: 是 工作温度: -45~+55GESTIN-2TE-TO8系列是高灵敏度的InGaAs探测器，适用于NIR传感、LED/LD特性测试等多种应用。
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封装: TO-8 冷却方式: 2TE 有效区域: Φ300μm-Φ3000μm 芯片尺寸: 850×850um-3560×3560um 电极尺寸: 140×180um-320×480umGESTIN-2TE-TO8系列是一款高性能InGaAs探测器，适用于NIR传感、LED/LD特性测试及医疗诊断等领域。
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封装: TO-8 冷却方式: 2TE 有效区域: Φ300μm - Φ3000μm 芯片尺寸: 850×850um - 3560×3560um 电极尺寸: 140×180um - 320×480umGESTIN-2TE-TO8系列InGaAs光电二极管是一款高灵敏度的探测器，适用于NIR传感、LED/LD特性测试、光谱学和医疗诊断等应用。
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有效直径: 1.0-5.0mm 截止波长: 1.0-1.7um 峰值波长(典型): 1.0±0.1-1.7±0.1um 响应度@λP(最小/典型): 0.8/0.9-0.9/1.0 A/W 分流电阻(最小/典型): 10K/20K-50K/100K ΩExtended InGaAs Photodiodes是一款高性能的光电探测器，适用于气体监测、火焰检测等应用，具有优异的响应性和灵活的封装选项。
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有效直径: 0.5-1.0 mm 截止波长[nm]: 1.7±0.1 μm 峰值波长(典型): 1.55±0.05 μm 响应度@λP(最小/典型): 0.5/0.8 A/W 分流电阻(最小/典型): 1K/10K ΩPL系列扩展InGaAs光电二极管是一款高性能光电探测器，适用于气体检测、光谱学等多种应用，具有较长的截止波长和优异的响应性。
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有效直径: 0.5-1.0 mm 峰值波长(典型): 1.0±0.1 um 截止波长(90%): 1.0±0.1 um 响应度@λP(最小/典型): 0.5/0.8 A/W 分流电阻(最小/典型): 10K/20K ΩPL系列扩展InGaAs光电二极管，适用于气体监测、光谱学等应用，具有高响应性和优异的并联电阻。
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有效直径: 1.5-3mm 截止波长: 1.0-1.5um 高并联电阻: ≥10KΩ 多镜头: 双凸透镜、平凸透镜或球面透镜 封装: TO-5, TO-8或TO-9PL系列扩展InGaAs光电二极管，适用于气体传感监测、火焰检测等应用，具备高响应性和并联电阻。
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有效直径: 1.0-3.0 截止波长[nm]: 1.0-2.0 峰值波长(典型): 1.0±0.1 响应度@λP(最小/典型): 0.5/0.8 分流电阻(最小/典型): 1K/10KPL系列扩展InGaAs光电二极管，具备高响应度和广泛应用于气体检测、光谱学等领域的能力。
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电源: 3.0-3.6V 电源电流: 30-42mA 差分响应度: 1.2mV/µW 单端响应度: 0.6mV/µW 小信号带宽: 2.5GHzTMC-8D55-701是一款优化用于光纤应用的4.25Gbps GaAs PIN放大器，具备高响应度和小信号带宽，广泛应用于数据中心和高速网络。
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阈值电流: 10mA 正向电压: 1.4V 斜率效率: 0.30mW/mA 峰值波长: 1330nm 谱宽: 2nmTME-3F49-381是一款10Gbps 1310nm FP激光二极管，适用于高速光通信应用。
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阈值电流: 2-2.75 mA 斜率效率: 0.08-0.12-0.16 mW/mA 波长: 830-850-860 nm 正向电压: 1.6-1.8-2.1 V 击穿电压: 5-14 V高速度VCSEL TO-46金属外壳，配有监测光电二极管。
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阈值电流: 1.5 2.75 mA 斜率效率: 0.08 0.12 0.16 mW/mA 监控电流: 200 800 uA PD电容: 12 pF 正向电压: 1.6 1.8 2.1 VTMC-5F45-347/-447是高速VCSEL，适用于多模光纤通信，具有高耦合效率和内置监测光电二极管。
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阈值电流: 1.5 2.75 mA 斜率效率: 0.08 0.12 0.16 mW/mA 监控电流: 200 800 uA PD电容: 12 pF 正向电压: 1.6 1.8 2.1 VTMC-5F45-347/-447是一款高速度的VCSEL，专为多模光纤通信设计，支持高达4.25Gbps的数据速率，适用于多种光网络设备。
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阈值电流: 1.5-2.75mA 斜率效率: 0.05-0.12mW/mA 上升/下降时间: 90ps 正向电压: 1.6-2.1V 光谱宽度(RMS): 0.85nmTTR-1F45-357/TTR-1F45-427是连接式高速VCSEL，支持多模光纤通信，适用于小型光收发器设计和数据中心高速数据传输。
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响应度: 0.55-0.65 A/W 暗电流: 0.08-1 nA 击穿电压: 50-65 V 电容: 0.22-0.25 pF 带宽: 9 GHzTPD-8D12-052是一款10Gbps GaAs PIN光电二极管，具有高响应度和低暗电流，适用于光纤通信等多个应用场景。
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阈值电流: 1.5-2.75 mA 斜率效率: 0.08-0.12-0.16 mW/mA 监测电流: 200-800 uA PD电容: 12 pF 正向电压: 1.6-1.8-2.1 VTMC-5F45-357/-427是一款高速度VCSEL，具有高耦合效率和监测PD，广泛应用于多模光纤通信。
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阈值电流: 11 15 mA 工作电压: 1.1 1.6 V 斜率效率: 0.38 mW/mA 峰值波长: 1290 1310 1330 nm 旁模抑制比: 35 dBTME-3B33-506激光二极管，1310nm波长，支持高达2.5Gbps的数据传输，广泛应用于光纤通信和数据中心。