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RPT-37PB3F

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日本
分类:光电晶体管

更新时间:2024-06-05 17:56:17

型号: RPT-37PB3F

概述

来自Rohm Semiconductor的RPT-37PB3F是一种光电晶体管,其集电极发射极电压(击穿)为32 V,集电极暗电流为0.5 uA,集电极发射极电压(饱和)为0.4 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,功耗为150 MW.有关RPT-37PB3F的更多详细信息,

参数

  • 材料 / Material : Silicon
  • 安装类型 / Mounting Type : DIP
  • 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Phototransistors
  • 集电极发射极电压(击穿) / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 32 V
  • 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 0.5 uA
  • 发射极集电极电压(击穿) / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V

规格书

厂家介绍

Rohm于1958年在京都成立,较初是一家小型电子元件制造商。1967年,生产扩大到包括晶体管和二极管,1969年,集成电路和其他半导体产品加入到产品线中。两年后(1971年),该公司打破传统的日本商业文化,在硅谷建立了销售办事处和IC设计中心,从而进入美国市场。通过其年轻员工的辛勤工作和热情奉献,业务蓬勃发展,引起了业界的关注。罗姆的海外扩张很快成为其他公司的模板,并较终被接受为普遍的商业惯例。

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