光电晶体管是一种双极结晶体管(BJT),它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
OP801WSL概述
来自TT Electronics的OP801WSL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为0.5 mA至3 mA,功耗为250 MW.有关OP801WSL的更多详情,
OP801WSL参数
- 输入功率(辐照度) / Input Power(Irradiance) : 5 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
- 集电极发射极电压(击穿) / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 发射极集电极电压(击穿) / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 0.5 to 3 mA
OP801WSL规格书
OP801WSL厂家介绍
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