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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
全部产品分类
概述
来自Ushio Inc.的PT008-SMC是具有集电极发射极电压（击穿）30V、集电极暗电流200nA、集电极发射极电压（饱和）0.3V、发射极集电极电压（击穿）5V、导通状态集电极电流10mA的光电晶体管。有关PT008-SMC的更多详细信息，
参数
- 材料 / Material : Silicone
- 安装类型 / Mounting Type : Chip, Leaded
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Phototransistor
- RoHS / RoHs : Yes
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 200 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 10 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 900 nm
规格书
厂家介绍
Ushio Inc.利用独特的激光技术和制造专业知识，提供主要用于IT行业的光学设备，如激光二极管和发光二极管。我们的产品系列涵盖广泛，包括用于高端多功能办公打印机的高功率红色多光束激光二极管、用于医疗和测量应用的红色激光二极管、用于曝光设备的紫色激光二极管，用于显示器的高功率红色激光二极管，以及用于光学编码器的红外发射二极管。我们将继续积极为IT行业开发和商业化领先的半导体激光器。
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图片名称分类制造商参数描述
- OP506A光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP506A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流4.3 mA.有关OP506A的更多详细信息，请参见下文。
- OP550A光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP550A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流2.55 mA.有关OP550A的更多详细信息，请参见下文。
- OP798A光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP798A是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为4.9 mA至15 mA.有关OP798A的更多详情，请参见下文。
- QSA157光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light In Motion的QSA157是一款功耗为250 MW的光电晶体管。有关QSA157的更多详细信息，请参阅下文。
- SFH 3600光电晶体管ams OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 500 to 1100 nm
欧司朗的SFH 3600是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗130 MW.有关SFH 3600的更多详细信息，请参阅下文。
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