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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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OP560B概述
来自TT Electronics的OP560B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为3.3至9.8 mA.有关OP560B的更多详情，
OP560B参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 0.1 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 15 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 2 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 3.3 to 9.8 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 935 nm
OP560B规格书
OP560B厂家介绍
我们通过全球专家网络和世界较好的设施为客户提供工程支持和专业知识。
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图片名称分类制造商参数描述
- RPM-20PB光电晶体管ROHM Semiconductor
材料: Silicon
来自Rohm Semiconductor的RPM-20PB是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为32 V，集电极暗电流为0.5 uA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，功耗为100 MW.有关RPM-20PB的更多详细信息，请参阅下文。
- OP555C光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP555C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.25至2.4 mA.有关OP555C的更多详情，请参见下文。
- OP803SL光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon
来自TT Electronics的OP803SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为4 mA至8 mA，功耗为250 MW.有关OP803SL的更多详情，请参见下文。
- QLTP660CPD光电晶体管Light In Motion
波长（光谱灵敏度）: 400 to 1200 nm
来自Light In Motion的QLTP660CPD是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，导通状态集电极电流为1.5至1.8 mA，功耗为75 MW，波长（光谱灵敏度）为400至1200 nm.有关QLTP660CPD的更多详细信息，请参阅下文。
- WP7113P3BT光电晶体管kingbrightusa
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 670 to 1070 nm
KingbrightUSA的WP7113P3BT是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.7至3 mA，功耗100 MW.有关WP7113P3BT的更多详细信息，请参阅下文。
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