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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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RPM-20PB概述
来自Rohm Semiconductor的RPM-20PB是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为32 V，集电极暗电流为0.5 uA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，功耗为100 MW.有关RPM-20PB的更多详细信息，
RPM-20PB参数
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : DIP
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Phototransistors
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 32 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 0.5 uA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
RPM-20PB规格书
RPM-20PB厂家介绍
Rohm于1958年在京都成立，较初是一家小型电子元件制造商。1967年，生产扩大到包括晶体管和二极管，1969年，集成电路和其他半导体产品加入到产品线中。两年后（1971年），该公司打破传统的日本商业文化，在硅谷建立了销售办事处和IC设计中心，从而进入美国市场。通过其年轻员工的辛勤工作和热情奉献，业务蓬勃发展，引起了业界的关注。罗姆的海外扩张很快成为其他公司的模板，并较终被接受为普遍的商业惯例。
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图片名称分类制造商参数描述
- OP509B光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 to 935 nm
来自TT Electronics的OP509B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.4至10.6 mA.有关OP509B的更多详细信息，请参见下文。
- OP750D光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP750D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.85至7 mA.有关OP750D的更多详情，请参见下文。
- L14F2光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light In Motion的L14F2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，导通状态集电极电流为2.5 mA，功耗为300至600 MW.有关L14F2的更多详细信息，请参阅下文。
- L14G3光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light in Motion的L14G3是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为2 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G3的更多详细信息，请参阅下文。
- KPT801H光电晶体管Kyoto Semiconductors
波长（光谱灵敏度）: 400 to 1000 nm
Kyoto Semiconductors的KPT801H是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）20 V，集电极暗电流100至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，波长（光谱灵敏度）400至1000 nm.有关KPT801H的更多详细信息，请参阅下文。
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