光电晶体管是一种双极结晶体管(BJT),它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
概述
来自TT Electronics的OP538FC是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,集电极暗电流为225 nA,集电极发射极电压(饱和)为1.1 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通状态集电极电流为1.1 mA.有关OP538FC的更多详情,
参数
- 输入功率(辐照度) / Input Power(Irradiance) : 0.5 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photodarlington
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
- 集电极发射极电压(击穿) / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 225 nA
- 发射极集电极电压(击穿) / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 1.1 mA
- 波长(光谱灵敏度) / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 890 to 935 nm
规格书
厂家介绍
相关产品
- OP555D光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长(光谱灵敏度): 935 nm
来自TT Electronics的OP555D是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.25 mA.有关OP555D的更多详细信息,请参见下文。
- OP775C光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长(光谱灵敏度): 935 nm
来自TT Electronics的OP775C是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)30 V,集电极暗电流100 nA,集电极发射极电压(饱和)0.40 V,发射极集电极电压(击穿)5 V,导通状态集电极电流0.85至2.8 mA.有关OP775C的更多详情,请参见下文。
- OP802WSL光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon
来自TT Electronics的OP802WSL是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为30 V,发射极集电极电压(击穿)为5 V,导通集电极电流为2.5 mA,功耗为250 MW.有关OP802WSL的更多详情,请参见下文。
- L14G3光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light in Motion的L14G3是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为45 V,集电极发射极电压(饱和)为0.40 V,导通状态集电极电流为2 mA,功耗为300至600 MW.有关L14G3的更多详细信息,请参阅下文。
- LA PT28AP1光电晶体管Light Avenue
波长(光谱灵敏度): 570 nm
来自Light Avenue的LA PT28AP1是一款光电晶体管,集电极发射极电压(击穿)为6 V,集电极暗电流为3至50 nA,发射极集电极电压(击穿)为1.5 V,波长(光谱灵敏度)为570 nm.有关LA PT28AP1的更多详细信息,请参见下文。
相关文章
什么是光达林顿晶体管(Photodarlington Transistor)?
光达林顿晶体管是一种特殊类型的光电晶体管,它将一个光电晶体管与另一个双极结型晶体管 (BJT) 组成达林顿对配置。
光电晶体管的热阻是指其将热量从有源区传导到周围环境的能力。这是一个量化光电晶体管散热能力的参数。
晶体技术引领下一代OLED:中国科学家开发高性能晶体白色OLED
中国科学家近期在《光科学与应用》杂志上发布的研究成果显示,他们成功开发出了一种高性能的晶体白色有机发光二极管(OLED)。通过采用热激活延迟荧光(TADF)材料和橙色磷光掺杂剂的创新技术,并结合晶体主体基质中嵌入的纳米聚集体结构,这项技术实现了对发光行为的有效控制,提高了器件性能,包括更高的亮度和光子输出效率。