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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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OP802WSL概述
来自TT Electronics的OP802WSL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为2.5 mA，功耗为250 MW.有关OP802WSL的更多详情，
OP802WSL参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 5 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 2.5 mA
OP802WSL规格书
OP802WSL厂家介绍
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图片名称分类制造商参数描述
- OP770D光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP770D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.85至7 mA.有关OP770D的更多详情，请参见下文。
- NTE30133光电晶体管NTE Electronics, Inc
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 940 nm
来自NTE Electronics，Inc的NTE30133是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.1至1.5 mA.有关NTE30133的更多详细信息，请参阅下文。
- PT2559B/L2/H2-F光电晶体管Ever Light
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 940 nm
Ever Light的PT2559B/L2/H2-F是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）5 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）30 V，功耗75 MW.有关PT2559B/L2/H2-F的更多详细信息，请参见下文。
- BPX 43光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 450 to 1100 nm
欧司朗的BPX 43是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）50 V，集电极暗电流20至100 nA，集电极发射极电压（饱和）200 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗220 MW.有关BPX 43的更多详细信息，请参见下文。
- SFH 3015FA光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 770 to 1090 nm
OSRAM的SFH 3015FA是一种光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15至30 V，集电极发射极电压（饱和）为170 MV，发射极集电极电压（击穿）为7 V，波长（光谱灵敏度）为770至1090 nm.有关SFH 3015FA的更多详细信息，请参阅下文。
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