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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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概述
来自TT Electronics的OP770D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.85至7 mA.有关OP770D的更多详情，
参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 1 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 0.85 to 7 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 935 nm
规格书
厂家介绍
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相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- OP565B光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP565B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为3.3至9.8 mA.有关OP565B的更多详情，请参见下文。
- OP800SL光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon
来自TT Electronics的OP800SL是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.5 mA，功耗为250 MW.有关OP800SL的更多详细信息，请参见下文。
- OP805SL光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon
来自TT Electronics的OP805SL是一款光电晶体管，发射集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为15 mA，功耗为250 MW.有关OP805SL的更多详情，请参见下文。
- SFH 3201光电晶体管ams OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 460 to 1080 nm
OSRAM的SFH 3201是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为20至70 V，集电极暗电流为3至200 nA，集电极发射极电压（饱和）为170至250 MV，发射极集电极电压（击穿）为7 V，功耗为120 MW.有关SFH 3201的更多详细信息，请参阅下文。
- AM4457P3C光电晶体管kingbrightusa
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 420 to 1120 nm
来自KingbrightUSA的AM4457P3C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.35至0.8 mA，功耗为100 MW.有关AM4457P3C的更多详细信息，请参阅下文。
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