取向图案化半导体(Orientation-patterned Semiconductors)

更新时间:2023-11-10 05:48:19.000Z

分类: 光学材料

定义: 含有周期性磁畴取向图案的半导体

取向图案化半导体(Orientation-patterned Semiconductors) 详述

纠错

目录

1. 诞生背景

取向图案化半导体是在微电子工业发展的推动下应运而生的。随着科技的发展,人们对半导体材料的需求越来越高,特别是在光电子、微电子、磁电子等领域,对半导体材料的性能要求越来越严格。为了满足这些需求,科学家们开始研究新的半导体材料,其中就包括取向图案化半导体。

2. 相关理论或原理

取向图案化半导体的基本原理是利用周期性磁畴取向图案来改变半导体的性质。在半导体材料中,磁畴的取向会影响电子的运动方向,从而改变半导体的电导率、磁导率等性质。通过改变磁畴的取向,可以实现对半导体性质的精确控制。

3. 重要参数指标

取向图案化半导体的重要参数指标主要包括磁畴取向、磁畴间距、磁畴宽度等。磁畴取向决定了电子的运动方向,磁畴间距和磁畴宽度则影响了电子的运动速度和散射率。通过调整这些参数,可以实现对半导体性质的精确控制。

4. 应用

取向图案化半导体广泛应用于光电子、微电子、磁电子等领域。在光电子领域,它可以用于制作高效率的光电转换器光电探测器等设备;在微电子领域,它可以用于制作高速、高密度的存储器、逻辑器件等;在磁电子领域,它可以用于制作高灵敏度的磁场传感器、磁存储器等。

5. 分类

根据磁畴取向的不同,取向图案化半导体可以分为平行取向图案化半导体和垂直取向图案化半导体;根据磁畴间距和磁畴宽度的不同,又可以分为细磁畴取向图案化半导体和宽磁畴取向图案化半导体。

6. 未来发展趋势

随着科技的发展,取向图案化半导体的应用领域将进一步扩大,其性能也将得到进一步提升。未来,取向图案化半导体可能会在量子计算、纳米技术等领域发挥重要作用。

7. 相关产品及生产商

目前市场上的取向图案化半导体产品主要包括光电转换器、光电探测器、存储器、逻辑器件、磁场传感器、磁存储器等。这些产品的生产商主要包括Intel、Samsung、TSMC等知名半导体公司。

收藏

收藏

相关产品

图片名称分类制造商参数描述
  • 光电查
    xpgdwt-01-0000-00me2发光二极管Cree LED

    Cree LED的XPGDWT-01-0000-00ME2是一款LED,电流为350 mA,正向电压为2.73至3.06 V,正向电流为0至2000 mA,光通量为172至187 LM,反向电压为0至5 V.有关XPGDWT-01-0000-00ME2的更多详细信息,请参见下文。

  • 光电查
    纳米TRL 400-20 PIV激光器模块和系统Litron Lasers Ltd.

    波长: 532 nm

    来自Litron Lasers Ltd.的Nano TRL 400-20 PIV是一种波长为532 nm、脉冲能量为400 MJ、工作温度为5至35摄氏度的激光器。Nano TRL 400-20 PIV的更多细节可以在下面看到。

  • 光电查
    CL240短脉冲激光器模块和系统Canlas Laser Processing GmbH

    波长: 1064 nm

    来自Canlas Laser Processing GmbH的CL240短脉冲是一种波长为1064 nm、功率为30至60 W、输出功率(脉冲)为30至60 W、脉冲能量为1.5至300µJ、工作温度为15至35摄氏度的激光器。有关CL240短脉冲的更多详细信息,请参见下文。

  • 光电查
    LightWire FP200激光器模块和系统EKSPLA

    波长: 1064 nm

    来自EKSPLA的LightWire FP200是波长为1064nm、功率为5至200mW、输出功率(脉冲)为5至200mW、脉冲能量为50nJ的激光器。有关LightWire FP200的更多详细信息,请参阅下文。

  • 光电查
    TEC-150-0705-030激光器模块和系统Sacher Lasertechnik

    波长: 695 to 705 nm

    来自Sacher Lasertechnik的TEC-150-0705-030是一种波长为695至705 nm、功率为30 MW、输出功率(CW)为30 MW的激光器。有关TEC-150-0705-030的更多详细信息,请参阅下文。