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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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OP535C概述
来自TT Electronics的OP535C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.10 V，发射极集电极电压（击穿）为2 V，导通状态集电极电流为1.5 mA.有关OP535C的更多详情，
OP535C参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 0.1 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photodarlington
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 15 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 2 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 1.5 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 935 nm
OP535C规格书
OP535C厂家介绍
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图片名称分类制造商参数描述
- OP755B光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP755B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为1.5至4.2 mA.有关OP755B的更多详情，请参见下文。
- OP800C光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP800C是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.9至3.6 mA，功耗为250 MW.有关OP800C的更多详细信息，请参见下文。
- L14F2光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light In Motion的L14F2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为25 V，导通状态集电极电流为2.5 mA，功耗为300至600 MW.有关L14F2的更多详细信息，请参阅下文。
- BP 103光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 450 to 1100 nm
欧司朗的BP 103是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗150 MW.有关BP 103的更多详细信息，请参阅下文。
- SFH 313 FA光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 740 to 1080 nm
来自OSRAM的SFH 313 FA是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为70 V，集电极暗电流为3至200 nA，集电极发射极电压（饱和）为150 MV，功耗为200 MW，波长（光谱灵敏度）为740至1080 nm.有关SFH 313 FA的更多详细信息，请参阅下文。
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