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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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概述
欧司朗的BP 103是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）35 V，集电极暗电流1至50 nA，集电极发射极电压（饱和）150 MV，发射极集电极电压（击穿）7 V，功耗150 MW.有关BP 103的更多详细信息，
参数
- 材料 / Material : Silicon
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Phototransistor
- 极性 / Polarity : NPN
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 35 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 1 to 50 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 7 V
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 450 to 1100 nm
规格书
厂家介绍
在一个日益互联的世界中，传感在缩小物理和数字之间的差距方面发挥着至关重要的作用，使人和机器能够理解世界并与世界互动。通过使用光的全光谱，并结合传感器、软件和发射器，我们通过捕捉、分析和可视化，将我们环境中的信息带到光中。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- PT008-05光电晶体管Ushio Inc.
材料: Clear Epoxy Resin波长（光谱灵敏度）: 900 nm
来自Ushio Inc.的PT008-05是具有集电极发射极电压（击穿）30V、集电极暗电流100nA、集电极发射极电压（饱和）0.2V、发射极集电极电压（击穿）5V、导通状态集电极电流10mA的光电晶体管。有关PT008-05的更多详细信息，请参阅下文。
- OP303SL光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP303SL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为15 V，集电极暗电流为1µA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为3.6至12.0 mA.有关OP303SL的更多详细信息，请参见下文。
- OP550C光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
TT Electronics的OP550C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.25至2.4 mA.有关OP550C的更多详情，请参见下文。
- OP800A光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP800A是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为3.6 mA，功耗为250 MW.有关OP800A的更多详细信息，请参见下文。
- L14G3光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light in Motion的L14G3是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为2 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G3的更多详细信息，请参阅下文。
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