收藏 
下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
全部产品分类
OP800C概述
来自TT Electronics的OP800C是一款光电晶体管，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.9至3.6 mA，功耗为250 MW.有关OP800C的更多详细信息，
OP800C参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 0.5 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAIAs
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 0.9 to 3.6 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 890 nm
OP800C规格书
OP800C厂家介绍
我们通过全球专家网络和世界较好的设施为客户提供工程支持和专业知识。
相关内容
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- OP775D光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
来自TT Electronics的OP775D是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.85至7 mA.有关OP775D的更多详情，请参见下文。
- NTE30133光电晶体管NTE Electronics, Inc
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 940 nm
来自NTE Electronics，Inc的NTE30133是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.1至1.5 mA.有关NTE30133的更多详细信息，请参阅下文。
- L14G1光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
来自Light in Motion的L14G1是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为1 mA，功耗为300至600 MW.有关L14G1的更多详细信息，请参见下文。
- SFH 3410 R光电晶体管OSRAM
材料: Silicon
欧司朗的SFH 3410 R是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为5.5 V，集电极暗电流为3至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为100 MV，发射极集电极电压（击穿）为0.5 V.有关SFH 3410 R的更多详细信息，请参见下文。
相关文章
什么是光达林顿晶体管（Photodarlington Transistor）？
光达林顿晶体管是一种特殊类型的光电晶体管，它将一个光电晶体管与另一个双极结型晶体管 (BJT) 组成达林顿对配置。
光电晶体管的热阻是指其将热量从有源区传导到周围环境的能力。这是一个量化光电晶体管散热能力的参数。
晶体技术引领下一代OLED：中国科学家开发高性能晶体白色OLED
中国科学家近期在《光科学与应用》杂志上发布的研究成果显示，他们成功开发出了一种高性能的晶体白色有机发光二极管（OLED）。通过采用热激活延迟荧光（TADF）材料和橙色磷光掺杂剂的创新技术，并结合晶体主体基质中嵌入的纳米聚集体结构，这项技术实现了对发光行为的有效控制，提高了器件性能，包括更高的亮度和光子输出效率。