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下载规格书 激光二极管是一种半导体设备，它将电能直接转换为一束聚焦的光。
全部产品分类
GAP5000概述
GAP5000参数
- 波长范围 / Wavelength Range : 850 to 1550 nm
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
- 电容 / Capacitance : 750 to 2500 pF
- 暗电流 / Dark Current : 5 to 10 µA
- 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.10 to 0.95 A/W
GAP5000图片集
GAP5000规格书
GAP5000厂家介绍
GPD Optoelectronics成立于1973年，当时名为锗功率器件公司（Germanium Power Devices Corp.）。我们较初生产高质量的锗晶体管，但自20世纪80年代初以来，我们已成为值得信赖的锗和砷化铟镓光电二极管制造商。随着经验的积累，我们的技术能力和生产能力得到了提高，较终我们的规模扩大了一倍，搬到了位于新罕布什尔州塞勒姆的新工厂。
GPD自1973年以来一直是功率和高速锗晶体管和二极管的制造商，自1985年以来是红外光电探测器的制造商。GPD提供Ge、p-n、p-i-n、APD和InGaAs p-i-n高速和大面积光电探测器，用于辐射检测和电信应用。GPD拥有符合MIL-I-45208的检验系统。光电二极管须符合Telcordia测试要求（TA-NWT-00093）、MIL-STD-883测试方法和/或客户规格。
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图片名称分类制造商参数描述
- 59-187光电二极管Edmund Optics
来自Edmund Optics的59-187是波长范围为400至1000nm、暗电流为0.50至5.00nA、电容为10pF、响应度/光敏度为0.5A/W、有效区域直径为1.5mm的光学检测器。有关59-187的更多详细信息，请参阅下文。
- 59-689光电二极管Edmund Optics
Edmund Optics的59-689是一款光电二极管，波长范围为1000至1650 nm，电容为2 PF，暗电流为10.00至40.00 nA，响应度/光敏度：1 A/W，有效面积直径为0.2 mm.有关59-689的更多详细信息，请参阅下文。
- SPOT-4DMI光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 970 nm响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W
来自OSI Laser Diode，Inc.的SPOT-4DMI是波长范围为970nm、电容为1pF、暗电流为0.01至0.5nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为9ns的光电二极管。有关SPOT-4DMI的更多详细信息，请参阅下文。
- KPDE030-S光电二极管Kyoto Semiconductors
波长范围: 1310 to 1550 nm响应度/光敏度: 0.8 to 0.9 A/W
Kyoto Semiconductors的KPDE030-S是一款光电二极管，波长范围为1310至1550 nm，带宽为2 GHz，电容为1.1 PF，暗电流为0.16 nA，响应度/光敏度为0.8至0.9 A/W.有关KPDE030-S的更多详细信息，请参见下文。
- GVGR-S11SD光电二极管GenUV
波长范围: 295 to 490 nm响应度/光敏度: 0.07 A/W
Genuv的GVGR-S11SD是一款光电二极管，波长范围为295至490 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.07 A/W.有关GVGR-S11SD的更多详细信息，请参见下文。
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