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OSI Laser Diode，Inc.的PIN-DSIN-TEC是一款光电二极管，波长范围为1000至1800 nm（InGaAs），电容为450 PF（Si-TOP）、300 PF（InGaAs），响应度/光敏度为0.55 A/W（Si-TOP）、0.6 A/W（InGaAs），上升时间为4µs.有关PIN-DSIN-TEC的更多详细信息，请参阅下文。

Luna Innovations的SD012-151-011是一款光电二极管，波长范围为800至1700 nm，电容为2至10 PF，暗电流为0.1至10.0 nA，响应度/光敏度为0.80至0.90 A/W，上升时间为1.2 ns.有关SD012-151-011的更多详细信息，请参阅下文。

波长范围: 900 to 1700 nm响应度/光敏度: 0.80 to 0.85 A/W

OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-300B1xx是背照式InGaAs光电二极管/阵列，光谱范围为900至1700 nm.它们的有源区直径为300μm，节距为500μm，最小响应度为0.8-0.85A/W.这些光电二极管设计为倒装芯片安装到光学平面上，用于正面或背面照明。它们可以采用传统的安装方式（活动区域朝上），也可以面朝下组装，从而最大限度地减少整体尺寸。这些光电二极管的最小带宽为100 MHz，电容为8 PF，暗电流为0.05 nA.它们的最小击穿电压为10 V，最大正向电流为25 mA.这些光电二极管可用作单元件二极管或4/8元件阵列，是高速光通信、多通道光纤接收器、功率监控、单模/多模光纤接收器、快速以太网、SONET/SDH OC-3/STM-1、ATM、仪器仪表和模拟接收器应用的理想选择。

波长范围: 820 to 900 nm响应度/光敏度: 0.52 to 0.55 A/W

Centronic的BPX65RT是一款光电二极管，波长范围为820至900 nm，电容为3.5至20 PF，暗电流为1至5 nA，响应度/光敏度为0.52至0.55 A/W，上升时间为8 ns.有关BPX65RT的更多详细信息，请参阅下文。

波长范围: 900 to 1700 nm响应度/光敏度: 0.8 to 0.9 A/W

Kyoto Semiconductors的KPDE008LS-A-RA-HQ是一款KP-M InGaAs光电二极管，工作波长为900至1700 nm（O、E、S、C、L波段）。它可以处理10mW的最大输入光功率，响应度为0.8-0.9A/W，带宽为2GHz.该光电二极管的有效面积为80μm，电容高达1.1 PF.它的暗电流为160pA，反向电压为20V，正向电流为10mA.这款光电二极管采用TO-CAN封装，尺寸为Ø2.41 mm，非常适合光监控应用。