QSPDI-28

Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积；800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制；低偏置电压下的高增益；极快的上升时间低至300 PS；频率响应可达1 GHz；和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项，包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封到金属罐和高性价比SMD（LCC）类型，可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形（Ф500um）2 mm2有效面积雪崩光电二极管，具有800 nm的优化灵敏度，采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。

波长范围: 550 nm

Vishay Intertechnology的VEMD5510C是一款光电二极管，波长范围为550 nm，电容为30至80 PF，暗电流为0.2至10 nA，上升时间为70 ns.有关VEMD5510C的更多详细信息，请参阅下文。

波长范围: 970 nm响应度/光敏度: 0.55 to 0.60 A/W

OSI Laser Diode，Inc.的PIN-13DPI是波长范围为970 nm、电容为1200 PF、响应度/光敏度为0.55至0.60 A/W、上升时间为150 ns的光电二极管。有关PIN-13DPI的更多详细信息，请参阅下文。

波长范围: 1 to 1.63 µm响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W

GPD Optoelectronics的IAV81是一款光电二极管，波长范围为1至1.63µm，带宽为1至3 GHz，电容为0.35至0.45 PF，暗电流为4至15 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W.有关IAV81的更多详细信息，请参见下文。

波长范围: 800 to 1100 nm响应度/光敏度: 0.54 to 0.61 A/W

Centronic的OSD35-3T是一款光电二极管，波长范围为800至1100 nm，电容为22至205 PF，暗电流为40至150 nA，响应度/光敏度为0.54至0.61 A/W，上升时间为10 ns.有关OSD35-3T的更多详细信息，请参阅下文。