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雪崩式光电探测器MTAPD-06-005 光电二极管

雪崩式光电探测器MTAPD-06-005

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更新时间:2024-04-19 14:40:59

型号:

概述

Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积;800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制;低偏置电压下的高增益;极快的上升时间低至300 PS;频率响应可达1 GHz;和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项,包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封到金属罐和高性价比SMD(LCC)类型,可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形(Ф500um)2 mm2有效面积雪崩光电二极管,具有800 nm的优化灵敏度,采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。

参数

  • APD 类型 / APD Type: : Si
  • 工作波长 / Operational Wavelength (Typical): : 800nm
  • 工作波长范围 / Operational Wavelength Range: : 400 - 1100 nm

规格书

厂家介绍

Marktech光电成立于1985年,是一家领先的红外发射器、点源LED、紫外-可见-红外探测器(硅光电二极管、InGaAs探测器)和LED发射器的制造商,也是Cree LED和SETi LED的增值分销商。我们的标准组件可通过Digikey和Mouser获得。我们还根据OEM规格定制设计工程师组件。 我们的现场工程和测试团队与原始设备制造商合作,设计发射器、红外探测器、探测器-发射器对和组件,以优化产品性能并较大化总成本效益。此外,Marktech可以使用紫外-可见-红外探测器将发射器分类或分类到精确的峰值波长(±1nm),以匹配化学分析和诊断应用。我们位于加利福尼亚州西米谷的工厂可以生产用于分析仪器和工业传感应用的快速、高灵敏度硅光电二极管探测器和探测器阵列。我们还制作了InGaAs pin光电二极管,用于SWIR检测。

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