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近红外脉冲半导体激光器通常用于长距离飞行时间或相移测距仪或激光雷达系统。Excelitas提供各种理想的脉冲905 nm激光器设计，包括多腔单片结构，每个芯片较多有4个有效区域，可产生高达100 W的峰值光输出功率。激光器芯片的物理堆叠也是可能的，产生高达300W的峰值光输出功率。板上芯片组件可用于混合集成。有6种金属密封封装类型可供选择，适用于恶劣环境应用。对于大批量应用，可提供模制环氧树脂TO-18型封装和表面贴装超模压陶瓷覆晶封装。关键参数是脉冲宽度和上升/下降时间。可以减小脉冲宽度，从而允许增加的电流驱动并导致更高的峰值光功率。量子阱激光器设计提供<1ns的上升和下降时间，但驱动电路布局和封装电感在决定上升/下降时间方面起着更大的作用，因此应进行相应的设计。为此，Excelitas提供了具有不同电感值的多种封装类型。我们的核心能力包括：MOVPE晶圆生长；生长的GaAs晶片的晶片处理；使用环氧树脂或焊料芯片附着的组件；引线框架上激光器的环氧树脂封装密封产品符合MIL STD和客户要求。

波长: 850 nm输出功率: 0.3 to 0.3 W

来自OSI Laser Diode，Inc.的LP8M03-27-50R是波长为850nm、输出功率为0.3至0.3W、阈值电流为100mA、输出功率（CW）为0.3至0.3W、工作温度为-20至70摄氏度的激光二极管。

波长: 842 to 862 nm输出功率: 0.15 W

Blue Sky Research的VPSL-0850-150-X-5-B是波长为842至862nm、输出功率为0.15W、工作电压为1.5V、工作电流为210至230mA、阈值电流为35至45mA的激光二极管。有关VPSL-0850-150-X-5-B的更多详细信息，请参阅下文。

波长: 1320 nm输出功率: 7.5 W

来自Akela Laser Corporation的ALC-1320-7500-HHL是波长为1320nm、输出功率为7500mW、输出功率为7.5W、工作电压为1.5V、工作电流为18A的激光二极管。有关ALC-1320-7500-HHL的更多详细信息，请参见下文。

波长: 1300 to 1340 nm输出功率: 0.5 W

来自Anritsu Corporation的AF3B150FM20M是波长为1300至1340nm、输出功率为0.5W、工作电压为2.3V、阈值电流为180mA、输出功率（CW）为0.5W的激光二极管。