单频半导体激光器研究取得进展：氮化硅微谐振器大大提高半导体激光器性能
洛桑联邦理工学院（EPFL）光子系统实验室（PHOSL）的团队开发出了一种芯片级激光源，在提高半导体激光器性能的同时，还能产生更短的波长。 这项开创性工作由Camille Brès教授和来自洛桑联邦理工学院工程学院的博士后研究员Marco Clementi领导，是光子学领域的重大进展，对电信、计量学和其他高精度应用具有重要意义。
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LP8M03-27-50R
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2023-02-07 16:00:24
型号: LP8M03-27-50R850 nm High Power Pulsed Laser Diodes
概述
来自OSI Laser Diode，Inc.的LP8M03-27-50R是波长为850nm、输出功率为0.3至0.3W、阈值电流为100mA、输出功率（CW）为0.3至0.3W、工作温度为-20至70摄氏度的激光二极管。
参数
- 工作模式 / Operation Mode : Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 850 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.3 to 0.3 W
- 阈值电流 / Threshold Current : 100 mA
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
- RoHS / RoHS : Yes
规格书
厂家介绍
OSI激光二极管公司（LDI）成立于1967年，为广泛的应用和行业生产较高质量的先进光电产品。我们较先进的制造、先进的产品开发和质量计划，加上我们持续的流程改进，体现了我们的领导、可靠性和诚信原则。
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