使用激光，研究人员可以直接控制核子的自旋，这可以编码量子信息
原则上，基于量子的设备，如计算机和传感器，在执行许多复杂任务时可以大大超过传统的数字技术。
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CHP-207
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2024-06-05 17:27:53
型号: CHP-207CHIP - BARE LASER DIODE DIE
概述
Seminex Corporation的CHP-207是一款激光二极管，波长为1480 nm（+/-20），输出功率为0.45 W，输出功率（连续波）为0.45 W，工作温度为10至30°C.有关CHP-207的更多详细信息，
参数
- 工作模式 / Operation Mode : CW Laser
- 波长 / Wavelength : 1480 nm(+/-20)
- 输出功率 / Output Power : 0.45 w
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
规格书
厂家介绍
Seminex公司生产用于军事、医疗、美容和牙科应用的高功率红外二极管激光器。Seminex的二极管激光器采用高精度磷化铟半导体材料制成，可直接高效地将电能转换为相干光能。Seminex激光器利用量子物理学的独特应用，在热效率和电效率方面提供卓越的性能，以及出色的总光功率。更好的半导体性能、效率以及更小的激光器尺寸和功耗使SEMINEX激光二极管具有极高的成本效益，尤其是在利用红外波长的一系列应用中。
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图片名称分类制造商参数描述
- EYP-RWL-0808-00800-4000-BFW42-0000 SINGLE MODE LASER DIODE半导体激光器eagleyard Photonics GmbH
输出功率: 800mW
808 nm Fabry-Perot激光器，带密封蝶形封装、监控二极管、热电冷却器和热敏电阻、光束准直，符合RoHS规范。
- SemiNex High Power Multi-Mode Laser Diodes on C-Mount 1565nm 4.2W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 4200mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- Widely Tunable Mid-IR Laser Source半导体激光器Block Engineering
较小宽可调QCL系统
- UMB500C040半导体激光器Northrop Grumman
波长: 808 nm输出功率: 40 W
Northrop Grumman公司的UMB500C040是一种波长为808nm、输出功率为40W、工作电压为1.7V、工作电流为47A、阈值电流为12000mA的激光二极管。有关UMB500C040的更多详细信息，请参阅下文。
- 905D1S12X半导体激光器Laser Components
波长: 895 to 915 nm输出功率: 26 W
Laser Components的905D1S12X是一款激光二极管，波长为895至915 nm，输出功率为26 W，工作电流为30 A，阈值电流为800 mA，输出功率（连续波）为26 W.有关905D1S12X的更多详细信息，请参见下文。
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