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下载规格书 锥形光纤是提供高能量、高光束质量的超快激光器的潜在器件
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概述
Laser Components的905D1S12X是一款激光二极管，波长为895至915 nm，输出功率为26 W，工作电流为30 A，阈值电流为800 mA，输出功率（连续波）为26 W.有关905D1S12X的更多详细信息，
参数
- 工作模式 / Operation Mode : Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 895 to 915 nm
- 输出功率 / Output Power : 26 W
- 工作电流 / Operating Current : 30 A
- 阈值电流 / Threshold Current : 800 mA
- 激光增益介质 / Laser Gain Medium : InGaAs/GaAs
- 堆栈/阵列 / Stack/Array : Single Stack, Stack
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode
规格书
厂家介绍
在激光组件中，稳定性、连续性和以长期成功为目标的决策与动态性、灵活性、浅层次结构和短决策过程相结合。在家族企业中，这不是矛盾，而是两代人和谐合作，带领公司走向未来的结果。
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图片名称分类制造商参数描述
- LASER DIODE FIDL-1000M-1064X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 1000mW
FIDL-1000M-1064X是用MOCVD半导体激光器制作的1064nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-1064X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用INSOT-148外壳，内置监控光电二极管以稳定输出功率，TO-3窗口外壳集成了TEC、热敏电阻和监控二极管。该激光二极管适用于各种光电系统。
- LASER DIODE FLX-1470-8000M-200半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 8000mW
FLX-1470-8000M-200是一款多模半导体激光二极管，在1470nm处具有8000mW连续输出功率。可用封装为厚C-Mount。它适用于各种光电应用。
- Seminex High Power Multi-Mode Laser Diode TO9 1310nm 2W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 2000mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- QFBGLD-1064-400半导体激光器QPhotonics
波长: 1063 to 1065 nm输出功率: 0 to 0.4 W
来自Qphotonics的QFBGLD-1064-400是波长为1063至1065nm、输出功率为0至0.4W、工作电压为1.7至1.9V、工作电流为0.8至1A、阈值电流为80至100mA的激光二极管。有关QFBGLD-1064-400的更多详细信息，请参阅下文。
- RLT415-50CMG半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 413 to 417 nm输出功率: 0.05 W
Roithner Lasertechnik公司的RLT415-50CMG是一种激光二极管，波长为413至417 nm，输出功率为0.05 W，工作电压为4.8至5.9 V，工作电流为0.1至0.15 A，阈值电流为40至100 mA.有关RLT415-50CMG的更多详细信息，请参见下文。
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