KAUST的科学家们展示了一种改变紧凑型半导体激光器的简单方法,使其在照明和全息摄影方面更加实用。这项研究发表在《Optica》杂志上。
CVD 206
更新时间:2023-02-07 16:00:24
CVD 206概述
来自OSI Laser Diode,Inc.的CVD 206是波长为860nm、输出功率为30W、输出功率(CW)为30W、工作温度为-40至85℃、存储温度为-55至85℃的激光二极管。
CVD 206参数
- 工作模式 / Operation Mode : Pulsed Laser
- 波长 / Wavelength : 860 nm
- 输出功率 / Output Power : 30 W
- 类型 / Type : Free Space Laser Diode, Fiber-Coupled Laser Diode
CVD 206规格书
CVD 206厂家介绍
相关内容
相关产品
- HL63603TG LASER DIODE半导体激光器World Star Tech
输出功率: 120mW
Ushio Opto Semiconductor(USHIO/OPNEXT激光二极管)提供405nm至850nm的各种功率水平。HL40033G(1000mW,405nm)紫光二极管是成像、生物医学和工业应用的理想选择。还提供HL40071MG,这是Ushio的一款新型单模405nm二极管,较大功率为300 MW。Ushio红色激光二极管的波长范围为633nm至690nm。高功率红色激光二极管HL63290HD、HL63520HD提供超过2 W的功率,可用于投影仪应用。HL65014DG是一种功率为150mW的单模红光激光二极管,可用作光学仪器的光源,Ushio红外和近红外激光二极管可用于705nm、730nm、830nm和850nm。World Star Tech拥有大多数Ushio激光二极管的大量库存。World Star Tech可提供Ushio激光二极管的波长测量和选择。此外,还可以较低的额外成本提供激光二极管的完整特性,这将使制造更加可靠和容易。波长、激光阈值电流、激光斜率效率、激光电压和监控二极管信息将与测量数据一起提供。请联系我们了解您的激光二极管要求。HL40033G激光二极管具有多模和9 mm封装。HL63603TG激光二极管具有单模和5.6 mm封装。HL63603TG是工业和投影仪应用的理想选择,要求可靠的操作,具有较长的使用寿命和稳定的输出功率。
- FKLD-30S-660-70半导体激光器FrankFurt Laser Company
波长: 660 nm输出功率: 0.03 W
来自Frankfurt Laser Company的FKLD-30S-660-70是波长为660 nm、输出功率为0.03 W、阈值电流为35至50 mA、输出功率(CW)为0.03 W、工作温度为-10至70摄氏度的激光二极管。
- B-130-108半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1380 nm输出功率: 5.9 W
B-130-108是Seminex公司生产的波长为1380nm,输出功率为5.9W,工作电压为1.8V,工作电流为13A,阈值电流为500mA的半导体激光器。有关B-130-108的更多详细信息,请参阅下文。
- LDX-3530-750半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 750 nm
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3530-750是波长为750 nm、输出功率为4000 MW(光纤)至5000 MW、输出功率为4000 MW(光纤)至5000 MW、工作电压为1.9 V、工作电流为5900 mA的激光二极管。有关LDX-3530-750的更多详细信息,请参阅下文。
- LDI-905-FP-5半导体激光器LasersCom
波长: 885 to 915 nm输出功率: 0.005 W
Laserscom的LDI-905-FP-5是一款激光二极管,波长为885至915 nm,输出功率为5 MW,输出功率为0.005 W,工作电压为1.7至2.3 V,工作电流为0.045至0.06 A.有关LDI-905-FP-5的更多详细信息,请参见下文。
相关文章
麻省理工学院(MIT)的一项新研究发现,即使消除了来自外界的所有噪声,时钟、激光束和其他振荡器的稳定性仍然容易受到量子力学效应的影响。
以氮化镓为基础的led的开发和制造企业、高亮度蓝光和白光led的发明者日亚半导体(Nichia)开始了高功率红光激光二极管(LD)芯片的自主生产。这家总部位于日本的公司将从2024年春季开始销售包括新型红光LD芯片在内的激光封装产品。
由于成熟的硅工艺技术、大尺寸硅片和硅的光学特性,硅(Si)光子学最近已成为许多应用领域的关键使能技术。然而,由于硅基材料无法有效发光,因此需要使用其他半导体作为光源。