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下载规格书 Photodigm DBR 激光二极管为短波红外精密激光二极管设定了世界标准。
全部产品分类
概述
Laserscom的LDI-905-FP-5是一款激光二极管，波长为885至915 nm，输出功率为5 MW，输出功率为0.005 W，工作电压为1.7至2.3 V，工作电流为0.045至0.06 A.有关LDI-905-FP-5的更多详细信息，
参数
- 技术 / Technology : Fabry-Perot (FP)
- 芯片技术 / Chip Technology : InGaAs
- 工作模式 / Operation Mode : CW
- 波长 / Wavelength : 885 to 915 nm
- 输出功率 / Output Power : 0.005 W
- 工作电压 / Operating Voltage : 1.7 to 2.3 V
- 工作电流 / Operating Current : 45 to 60 mA
- 阈值电流 / Threshold Current : 15 to 25 mA
- 激光颜色 / Laser Color : Infrared
- 类型 / Type : Fiber-Coupled Laser Diode
- RoHS / RoHS : Yes
图片集
规格书
厂家介绍
LaserCom LLC是半导体激光二极管、LED、光电二极管和混合光纤耦合模块的制造商和开发商。他们为原始设备制造商提供组件，用于电信、科学研究、生命科学、安全、航空航天工业和计量等领域要求较苛刻的应用。Laserscom拥有一支高素质的工程师和研究人员团队，其中包括博士。他们与白俄罗斯国家科学院、国内外研究机构和工业公司密切合作。 他们开发了一种独特的激光二极管模块组装技术，可为光纤提供高光功率耦合效率。光电二极管模块组件的这种独特技术允许生产具有光学匹配、小背向反射和大动态范围的模块。在持续的质量监控下，在清洁区进行制造，以确保其产品的可靠性和耐用性。 他们设计的设备提供了卓越的光功率稳定性，散热，机械强度和抗电离辐射。轻便紧凑的激光和光电二极管模块可广泛用于固定和便携式光纤设备。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- LASER DIODE FIDL-1000M-1070X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 1000mW
FIDL-1000M-1070X是用MOCVD半导体激光器制作的1070nm InGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-1000M-1070X光源是一款CW多模注入式半导体激光二极管，采用11.4mm外壳，内置监控光电二极管以稳定输出功率，并采用集成TEC、热敏电阻和监控二极管的TO-3窗口外壳。该激光二极管适用于各种光电系统。
- ML570G23 MITSUBISHI LASER DIODE半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 500mW
三菱ML501P73是一款大功率、高高效半导体激光二极管，其提供发射波长638nm和标准光出力500MW。该LD具有宽条结构，其能够高输出功率。
- SemiNex High Power Multi-Mode Laser Diodes on C-Mount 1470nm 5W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 5000mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- RLT635-100GPD半导体激光器Roithner Lasertechnik
波长: 625 to 645 nm输出功率: 0.1 W
Roithner Lasertechnik公司的RLT635-100GPD是一种激光二极管，波长为625至645 nm，输出功率为0.1 W，工作电压为2.5 V，工作电流为0至0.7 A，阈值电流为500 mA.有关RLT635-100GPD的更多详细信息，请参阅下文。
- QL78F8SA半导体激光器Quantum Semiconductor International
波长: 775 to 800 nm输出功率: 10 mW
来自Quantum Semiconductor International的QL78F8SA是一种激光二极管，波长为775至800 nm，输出功率为10 MW，工作电压为1.5至2.4 V，工作电流为25至50 mA.有关QL78F8SA的更多详细信息，请参阅下文。
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