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下载规格书 Photodigm DBR 激光二极管为短波红外精密激光二极管设定了世界标准。
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激光二极管FIDL-100S-850X概述
激光二极管FIDL-100S-850X参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 0.850um
- 输出功率 / Output Power: : 100mW
激光二极管FIDL-100S-850X规格书
激光二极管FIDL-100S-850X厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
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图片名称分类制造商参数描述
- EP2004-DM-B: 2004nm DM Laser Diode 1950-2150nm半导体激光器RPMC Lasers Inc.
输出功率: 3mW
Eblana Photonics EP2004-DM-B激光二极管已开发用于二氧化碳的精密传感。Eblana的离散模式（DM）技术能够以极具竞争力的价格实现出色的SMSR性能和无跳模调谐。
- LASER DIODE FIDL-500M-850X半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 500mW
FIDL-500M-850X是用MOCVD半导体激光器制作的850nm AlGaAs/GaAs量子阱结构。低阈值电流和高斜率效率有助于降低工作电流，从而提高可靠性。FIDL-500M-850X是一款CW多模注入式半导体激光器芯片，安装在SOT-148 9mmTO-CAN中，集成监控光电二极管以稳定输出功率，并采用TO-3封装，带有TEC、热敏电阻和监控二极管。
- SemiNex High Power Multi-Mode Laser Diodes on B-Mount 1380nm 5.7W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 5700mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- MLD1550-100S9P半导体激光器MeshTel
波长: 1520 to 1580 nm输出功率: 0.1 W
Meshtel公司的MLD1550-100S9P是一种波长为1520至1580 nm的激光二极管，输出功率为0.1 W，工作电压为2 V，工作电流为0.4 A，阈值电流为55 mA.有关MLD1550-100S9P的更多详细信息，请参阅下文。
- LDX-3105-860半导体激光器RPMC Lasers Inc.
波长: 860 nm
来自RPMC Lasers Inc.的LDX-3105-860是波长为860nm、输出功率为800mW（光纤）至1000mW、输出功率为800mW（光纤）至1000mW、工作电压为1.8V、工作电流为1000mA的激光二极管。有关LDX-3105-860的更多详细信息，请参阅下文。
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