收藏 
下载规格书 使用激光，研究人员可以直接控制核子的自旋，这可以编码量子信息
原则上，基于量子的设备，如计算机和传感器，在执行许多复杂任务时可以大大超过传统的数字技术。
全部产品分类
概述
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 1.380um
- 输出功率 / Output Power: : 5700mW
规格书
厂家介绍
法兰克福激光公司（FLC）由Vsevolod Mazo博士于1994年创立，25年来一直是半导体激光器的较好公司之一。几乎没有一种激光产品在这里找不到。该公司提供从紫外、可见光范围到红外和远红外的激光源、激光二极管、超发光二极管、激光模块、激光系统、DPSS激光器或中红外LED，包括单模和多模、自由空间光束和光纤耦合。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- Fabry-Perot Laser Diode LD-9XX-YY-200- 984nm半导体激光器Innolume GmbH
输出功率: 200mW
•150/200/250mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围900-1010nm •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管•符合RoHS规范
- NECSEL GREEN Green 54x 3W半导体激光器Necsel IP Inc.
波长: 545nm输出功率: 3000mW
NECSEL绿色激光器产生3W的功率，封装不到1立方英寸。该激光器使用NECSEL专利技术来创建以前在行业中无法获得的波长。对于想要立即开始使用的用户，请将此激光与NECSEL绿色开发套件相结合。
- Seminex Multi Mode Laser Chip 1550nm 0.6W半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 600mW
Seminex在13xx和17xx nm之间的红外波长下提供较高的可用功率。必要时，我们将进一步优化我们的InP激光器芯片的设计，以满足客户特定的光学和电气性能需求。二极管、线棒和封装都经过测试，以满足客户和市场的性能需求。显示了典型结果和封装选项。联系法兰克福激光公司了解更多详情或讨论您的具体要求。
- AF4B112AD75L半导体激光器Anritsu Corporation
波长: 1460 to 1490 nm输出功率: 0.12 W
Anritsu Corporation的AF4B112AD75L是一款激光二极管，波长为1460至1490 nm，输出功率为0.12 W，工作电压为2.5 V，阈值电流为50 mA，输出功率（连续波）为0.12 W.有关AF4B112AD75L的更多详细信息，请参见下文。
- 808LD-3-0-0半导体激光器AeroDIODE
波长: 808 nm
高功率激光二极管在808 nm波长下从105/125/250µm多模光纤（NA=0.22）发出高达35 W的功率，并配有SMA905光纤连接器。与选项7：高功率准直器（见下文）兼容。
相关文章
激光吸收光谱法是测定样品中气体组分浓度的一种重要方法。现代设备是高度专业化的，用于检测非常特殊的气体，如大气中的微量气体，燃烧废气和等离子体的技术应用。
在《Light: Advanced Manufacturing》上发表的一篇新论文中，由余绍良博士和杜青阳博士领导的科学家团队开发出了新的封装技术。双光子光刻（TPL）是一种基于激光的技术，可用于创建分辨率极高的三维结构，它最近成为光子封装的一个前景广阔的解决方案，光子封装是将光子元件组装和连接成一个单一系统的过程。
激光二极管技术（Laser Diode Technology）
最近，激光二极管的商业和工业应用急剧增加。激光二极管的光学特性、小尺寸和坚固性使得许多新用途得以商业化。