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下载规格书 光功率测量基础知识（Optical Power Measurement）
当光子击中光电二极管材料时，可能会产生电子-空穴对，这取决于器件的量子效率。
全部产品分类
概述
•400/600/670mW输出功率Ex-单模光纤 •可用波长范围1010-1090nm •专有镜面涂层技术，实现高可靠性 •PM980或HI1060光纤 •单独老化和热循环筛选 •可选监控光电二极管 •符合RoHS规范
参数
- 中心波长 / Center Wavelength: : 1.060um
- 输出功率 / Output Power: : 400mW
规格书
厂家介绍
通过将波长覆盖范围与量子点技术和先进的芯片设计相结合，我们使客户能够开发高端的工业、医疗和通信应用。使用高度可靠的单模光纤耦合技术，我们主要专注于芯片生产-我们目前的产量超过1000万芯片/年。多年的经验、技术知识和完全垂直整合的工厂是产品开发和修改快速周转的关键——不仅是标准项目，还有定制订单。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- FDL-780-2W-TAL Tapered Amplifier for External Cavity Setups半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 2000mW
GaAs基锥形放大器用于极端谐振器配置中，以将高达2000W的近衍射极限输出功率与小谱线宽度和高边模抑制比相结合。它们的后端面具有小于0.01%的高抗反射涂层，以保证与光栅的良好耦合。前表面具有抗反射涂层，以保护芯片不受背向反射的影响。典型的应用是高分辨率吸收光谱或非线性倍频。
- HL6750MG AlGaInP Laser Diode半导体激光器FrankFurt Laser Company
输出功率: 55mW
HL6750mg AlGaInP半导体激光器。
- QLD-1550-20S半导体激光器QPhotonics
波长: 1551 nm输出功率: 0 to 0.02 W
Qphotonics公司的QLD-1550-20S是波长为1551nm的激光二极管，输出功率为0~0.02W，工作电压为1.61V，工作电流为0.14 3~0.143A，阈值电流为57mA.有关QLD-1550-20S的更多详细信息，请参阅下文。
- CVN 4S63半导体激光器OSI Laser Diode, Inc.
波长: 905 nm输出功率: 240 to 300 W
来自OSI Laser Diode，Inc.的CVN 4S63是波长为905 nm、输出功率为240至300 W、阈值电流为800 mA、输出功率（CW）为240至300 W、工作温度为-40至85摄氏度的激光二极管。
- 4PN-117半导体激光器SemiNex Corporation
波长: 1375 nm输出功率: 4.7 W
4PN-117是Seminex公司生产的波长为1375nm，输出功率为4.7W，工作电压为1.6V，工作电流为12A，阈值电流为600mA的半导体激光器。有关4PN-117的更多详细信息，请参阅下文。
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