用于激光和光电探测器集成的大规模过氧化物单晶阵列的片上可控制造
光电设备中非常需要可寻址的活性层，以实现功能集成和应用。金属卤化物过氧化物由于其优越的光电特性和基于溶液的制造工艺，在光电器件中显示出良好的应用前景。
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25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2024-04-19 14:40:59
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25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米概述
我们的紧凑型、顶部发光、低电容、高速GaAs基p-I-n光电二极管（PD）芯片和PD阵列芯片可作为工程样品提供，非常适合850 nm范围的光数据通信系统、光学互连和一般研发应用。PDS具有一系列光学孔径直径（15至50µm），既可作为单独的芯片，也可作为1×N（N=1，2，4，12）线性阵列，允许与单模或多模BER对准。坚固的PD芯片可以是线或IP芯片键合的。
25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米参数
- 二极管类型 / Diode Type: : InGaAs
- 工作波长 / Wavelength Of Operation: : 850nm
25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米规格书
25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米厂家介绍
Connector Optics LLC是一家研发和生产公司，专门从事光子学异质结构的开发和制造，主要用于850–1550 nm光谱范围的高速垂直发射激光器。
该公司的生产设施包括一个现代化的分子束外延Riber 49工业装置，配备了各种材料来源以及先进的控制和诊断设备。连接器光学有限责任公司的质量管理体系符合国家标准GOST R ISO 9001:2015的要求。
Connector Optics是一个由来自Ioffe物理与技术研究所和Alferov大学的专业人员组成的团队。这些中心在半导体激光器的开发和研究方面处于#领先#地位。自20世纪60年代以来，在Zhores Alferov的领导下，Ioffe物理研究所开展了光电用半导体异质结构的研究。为了发展这一方向，Zh.I.Alferov院士和G.Kremer（美国）于2000年获得了诺贝尔物理学奖。该公司的专家在外延生长领域拥有多年的经验，包括使用独特技术。
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图片名称分类制造商参数描述
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来自AlphaLas的UPD-35-IR2-FC是波长范围为800至1700nm、上升时间为35ps、暗电流为0.3nA、带宽为10GHz的光学检测器。有关UPD-35-IR2-FC的更多详细信息，请参阅下文。
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