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25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米 光电探测器

25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米

分类： 光电探测器

厂家： Connector Optics LLC

产地： 俄罗斯

更新时间： 2024-08-30 15:41:28

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概述

我们的紧凑型、顶部发光、低电容、高速GaAs基p-I-n光电二极管（PD）芯片和PD阵列芯片可作为工程样品提供，非常适合850 nm范围的光数据通信系统、光学互连和一般研发应用。PDS具有一系列光学孔径直径（15至50µm），既可作为单独的芯片，也可作为1×N（N=1，2，4，12）线性阵列，允许与单模或多模BER对准。坚固的PD芯片可以是线或IP芯片键合的。

参数

  • 二极管类型 / Diode Type : InGaAs
  • 工作波长 / Wavelength Of Operation : 850nm

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25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米图1

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厂家介绍

Connector Optics LLC是一家研发和生产公司，专门从事光子学异质结构的开发和制造，主要用于850–1550 nm光谱范围的高速垂直发射激光器。 该公司的生产设施包括一个现代化的分子束外延Riber 49工业装置，配备了各种材料来源以及先进的控制和诊断设备。连接器光学有限责任公司的质量管理体系符合国家标准GOST R ISO 9001:2015的要求。 Connector Optics是一个由来自Ioffe物理与技术研究所和Alferov大学的专业人员组成的团队。这些中心在半导体激光器的开发和研究方面处于#领先#地位。自20世纪60年代以来，在Zhores Alferov的领导下，Ioffe物理研究所开展了光电用半导体异质结构的研究。为了发展这一方向，Zh.I.Alferov院士和G.Kremer（美国）于2000年获得了诺贝尔物理学奖。该公司的专家在外延生长领域拥有多年的经验，包括使用独特技术。

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    二极管类型: InGaAs 工作波长: 850nm

    我们的紧凑型、顶部发光、低电容、高速GaAs基p-I-n光电二极管（PD）芯片和PD阵列芯片可作为工程样品提供，非常适合850 nm范围的光数据通信系统、光学互连和一般研发应用。PDS具有一系列光学孔径直径（15至50µm），既可作为单独的芯片，也可作为1×N（N=1，2，4，12）线性阵列，允许与单模或多模BER对准。坚固的PD芯片可以是线或IP芯片键合的。

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    二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm

    A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺，可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外，该产品线较大限度地降低了维护成本，并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用，包括工业、环境和医疗应用，都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度，满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。

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