这项题为 "具有增强的B-外激子发射和宽光谱响应的V-掺杂MoS2单层的气相生长 "的研究成果于2023年12月7日发表在《光电子学前沿》(Frontiers of Optoelectronics)上。这项研究为不断发展的二维半导体及其对光电技术的潜在影响提供了宝贵的见解。
SXUV20HS1DS EUV增强型检测器概述
光电二极管极紫外增强型探测器
SXUV20HS1DS EUV增强型检测器参数
- 二极管类型 / Diode Type: : Si
- 工作波长 / Wavelength Of Operation: : 1 - 1000nm
SXUV20HS1DS EUV增强型检测器规格书
SXUV20HS1DS EUV增强型检测器厂家介绍
位于加利福尼亚州卡马里洛的Opto Diode Corporation在提供业界较为领先的传感器、光电二极管、探测器和LED方面有着悠久的历史。光电二极管产品采用标准和定制设计,30多年来一直为光子学行业提供支持,并以高性能、卓越品质和可靠性赢得了良好声誉。随着2011年收购International Radiation Detectors(IRD)和2014年合并Cal Sensors(CSI),Opto Diode现在提供从电磁波谱的极紫外到中红外(Mid-IR)区域的行业领先性能探测器。我们的产品提供一流的高能粒子、电子、X射线和紫外线探测,以及卓越的灵敏度,以区分痕量气体或探测中红外光谱中的热量、火花或火焰。辅以辐射范围为365nm至940nm的高性能LED和覆盖1µm至10µm的红外发射器,我们支持各种细分市场和应用。
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