由于其在3D人脸识别、增强/虚拟现实、机器人和自动驾驶汽车等人工智能驱动技术中的潜在应用,对近红外(NIR)和短波红外(SWIR)光谱中的高像素、低成本焦平面阵列的需求激增。传统的SWIR光电二极管依赖于晶体锗(Ge)或砷化铟镓(InGaAs),其局限性包括高暗电流和复杂的制造工艺。有机半导体的出现提供了一个很有前途的替代方案,具有更容易制造和可调谐光学特性的潜力。
单光子计数模块 COUNT-50N
概述
参数
- 有效直径 / Active Diameter : 0.1mm
- 峰值量子效率 / Peak Quantum Efficiency : 70%
- 光谱范围 / Spectral Range : 400 - 1000 nm
规格书
厂家介绍
相关产品
-
双色比的光纤红外测温和控制系统iR2
光电探测器
Newport Electronics Inc
探测器类型: Thermal Absorber (thermopile) 光谱范围: 0.8 - 1.7 um 尺寸: 62mm
Newport©IR2™系列是较先进的仪器,适用于困难和苛刻的高温(300°C-3000°C)应用。它非常适合涉及金属、玻璃、半导体等的测量和控制应用。IR2速度极快,精度极高,响应时间为10毫秒,精度为满量程的0.2%。尽管IR2具有非凡的技术先进性和性能,但它也具有令人难以置信的用户友好性和简单的配置。IR2享有5年延长保修。
-
25 Gbit-s p-i-n光电二极管芯片和光电二极管阵列芯片850纳米
光电探测器
Connector Optics LLC
二极管类型: InGaAs 工作波长: 850nm
我们的紧凑型、顶部发光、低电容、高速GaAs基p-I-n光电二极管(PD)芯片和PD阵列芯片可作为工程样品提供,非常适合850 nm范围的光数据通信系统、光学互连和一般研发应用。PDS具有一系列光学孔径直径(15至50µm),既可作为单独的芯片,也可作为1×N(N=1,2,4,12)线性阵列,允许与单模或多模BER对准。坚固的PD芯片可以是线或IP芯片键合的。
-
4、8、12或16个元素的单片线性阵列
光电探测器
GPD Optoelectronics Corp
二极管类型: Other 工作波长: 1650nm
线性阵列
-
AP-15G 用于1-3.1微米的PbS检测器
光电探测器
AP Technologies Ltd
二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm
A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。
-
用于1-3.1微米的AP-25G铅酸蓄电池检测器
光电探测器
AP Technologies Ltd
二极管类型: PbS 工作波长: 1000nm
A系列单通道红外探测器集成了PBS技术和成熟的制造工艺,可在1至3微米的光谱范围内提供较高灵敏度的探测器。此外,该产品线较大限度地降低了维护成本,并以行业领先的质量、耐用性和可靠性提供可靠的操作。当今许多要求苛刻的应用,包括工业、环境和医疗应用,都需要高性能。A系列红外探测器在更紧密的光谱带中提供更高的灵敏度,满足探测痕量元素、气体、火灾、火焰和排放物的挑战。
相关文章
-
-
发光是吸收某一特定波长的光,并以大于吸收的波长发射出光的过程。
-
这项题为 "具有增强的B-外激子发射和宽光谱响应的V-掺杂MoS2单层的气相生长 "的研究成果于2023年12月7日发表在《光电子学前沿》(Frontiers of Optoelectronics)上。这项研究为不断发展的二维半导体及其对光电技术的潜在影响提供了宝贵的见解。
-
Leonardo DRS公司获得订单,继续为美国陆军生产下一代热武器瞄准具。根据武器瞄准具系列 - 单个 (FWS-I) IDIQ 合同,该生产订单价值超过 1.34 亿美元。
加载中....