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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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OP775B概述
来自TT Electronics的OP775B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.5至4.2 mA.有关OP775B的更多详情，
OP775B参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 1 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 1.5 to 4.2 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 935 nm
OP775B规格书
OP775B厂家介绍
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图片名称分类制造商参数描述
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材料: Silicon
Rohm Semiconductor的SML-H10TB是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）32 V，集电极暗电流0.5 mA，集电极发射极电压（饱和）0.4 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗80 MW.有关SML-H10TB的更多详细信息，请参阅下文。
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材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 935 nm
TT Electronics的OP505W是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1 mA.有关OP505W的更多详细信息，请参阅下文。
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Optrans America的PT086N是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗250 MW.有关PT086N的更多详细信息，请参阅下文。
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材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 420 to 1100 nm
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