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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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概述
来自TT Electronics的OP750B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.5至4.2 mA.有关OP750B的更多详情，
参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 1 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 1.5 to 4.2 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 935 nm
规格书
厂家介绍
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图片名称分类制造商参数描述
- OP793C光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 nm
来自TT Electronics的OP793C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.9至3.05 mA.有关OP793C的更多详情，请参见下文。
- NTE3031光电晶体管NTE Electronics, Inc
材料: Silicon
NTE Electronics，Inc的NTE3031是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关NTE3031的更多详细信息，请参阅下文。
- BPW36光电晶体管Light In Motion
材料: Silicon
Light In Motion的BPW36是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为45 V，集电极发射极电压（饱和）为0.40 V，导通状态集电极电流为1 mA，功耗为300至600 MW.有关BPW36的更多详细信息，请参阅下文。
- SFH 3400光电晶体管ams OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 460 to 1080 nm
欧司朗的SFH 3400是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为20至70 V，集电极暗电流为3至10 nA，集电极发射极电压（饱和）为170 MV，发射极集电极电压（击穿）为7 V，功耗为120 MW.有关SFH 3400的更多详细信息，请参阅下文。
- AP1608P1C光电晶体管kingbrightusa
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 420 to 1120 nm
KingbrightUSA的AP1608P1C是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.3 mA，功耗100 MW.有关AP1608P1C的更多详细信息，请参见下文。
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