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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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NTE3031概述
NTE Electronics，Inc的NTE3031是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.2 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗150 MW.有关NTE3031的更多详细信息，
NTE3031参数
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
NTE3031规格书
NTE3031厂家介绍
NTE Electronics，Inc于1979年在新泽西州成立，从一家拥有10个替换零件的小城镇供应商发展成为业内较大的替换半导体供应商。
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图片名称分类制造商参数描述
- MTD8600N-T光电晶体管Marktech Optoelectronics
材料: Metal波长（光谱灵敏度）: 400 to 1100 nm
Marktech Optoelectronics的MTD8600N-T是一款峰值灵敏度波长为880 nm的光电晶体管。它的光谱范围为400-1100nm，开关时间（上升/下降）为10μs.该晶体管的集电极-发射极电流为3 mA，C-E饱和电压为0.2 V，集电极暗电流高达100 nA.该器件采用TO-18金属罐封装，尺寸为Ø5.4 mm，是光学开关、光学传感器、边缘检测和烟雾探测器应用的理想选择。
- OP802WSL光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon
来自TT Electronics的OP802WSL是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通集电极电流为2.5 mA，功耗为250 MW.有关OP802WSL的更多详情，请参见下文。
- KS1364光电晶体管Shinkoh Electronics
材料: Silicon
Shinkoh Electronics的KS1364是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为0.25至0.5 V，集电极暗电流为1至200 nA，导通状态集电极电流为20 mA，功耗为100 MW.有关KS1364的更多详细信息，请参阅下文。
- APT2012P3BT光电晶体管kingbrightusa
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 670 to 1070 nm
KingbrightUSA的APT2012P3BT是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流0.1至0.3 mA，功耗100 MW.有关APT2012P3BT的更多详细信息，请参阅下文。
- KPT801HB2光电晶体管Kyoto Semiconductors
波长（光谱灵敏度）: 700 to 1100 nm
Kyoto Semiconductors的KPT801HB2是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为20 V，集电极暗电流为100至200 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.4 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，功耗为125 MW.有关KPT801HB2的更多详细信息，请参见下文。
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