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下载规格书 光电晶体管是一种双极结晶体管（BJT），它将光电二极管和晶体管的概念结合在一起。
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OP555B概述
来自TT Electronics的OP555B是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）30 V，集电极暗电流100 nA，集电极发射极电压（饱和）0.40 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，导通状态集电极电流1.3至4.7 mA.有关OP555B的更多详情，
OP555B参数
- 输入功率（辐照度） / Input Power(Irradiance) : 1 mW/cm2
- 材料 / Material : Silicon
- 安装类型 / Mounting Type : Through-Hole
- 光电晶体管型 / Phototransistor Type : Photo Transistor
- 极性 / Polarity : NPN
- RoHS / RoHs : Yes
- 技术 / Technology : GaAs, GaAIAs
- 集电极发射极电压（击穿） / Collector Emitter Voltage (Breakdown) : 30 V
- 集电极暗电流 / Collector-Dark Current : 100 nA
- 发射极集电极电压（击穿） / Emitter Collector Voltage(Breakdown) : 5 V
- 导通状态集电极电流 / On-State Collector Current : 1.3 to 4.7 mA
- 波长（光谱灵敏度） / Wavelength(Spectral Sensitivity) : 935 nm
OP555B规格书
OP555B厂家介绍
我们通过全球专家网络和世界较好的设施为客户提供工程支持和专业知识。
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图片名称分类制造商参数描述
- TEMT1030光电晶体管Vishay Intertechnology
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 730 to 1000 nm
Vishay Intertechnology的TEMT1030是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）70 V，集电极暗电流1至200 nA，集电极发射极电压（饱和）0.3 V，发射极集电极电压（击穿）5 V，功耗100 MW.下面可以看到TEMT1030的更多详细信息。
- PT008-SMC光电晶体管Ushio Inc.
材料: Silicone波长（光谱灵敏度）: 900 nm
来自Ushio Inc.的PT008-SMC是具有集电极发射极电压（击穿）30V、集电极暗电流200nA、集电极发射极电压（饱和）0.3V、发射极集电极电压（击穿）5V、导通状态集电极电流10mA的光电晶体管。有关PT008-SMC的更多详细信息，请参见下文。
- OP538FA光电晶体管TT Electronics
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 890 to 935 nm
来自TT Electronics的OP538FA是一款光电晶体管，集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为225 nA，集电极发射极电压（饱和）为1.1 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为6.8 mA.有关OP538FA的更多详细信息，请参见下文。
- SFH 3710光电晶体管OSRAM
材料: Silicon波长（光谱灵敏度）: 350 to 950 nm
来自OSRAM的SFH 3710是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为5.5 V，集电极暗电流为3至50 nA，集电极发射极电压（饱和）为100 MV，发射极集电极电压（击穿）为0.5 V，波长（光谱灵敏度）为350至950 nm.有关SFH 3710的更多详细信息，请参阅下文。
- KPA-3010P3C光电晶体管kingbrightusa
材料: Silicon
来自KingbrightUSA的kPa-3010P3C是一种光电晶体管，其集电极发射极电压（击穿）为30 V，集电极暗电流为100 nA，集电极发射极电压（饱和）为0.8 V，发射极集电极电压（击穿）为5 V，导通状态集电极电流为0.2至0.4 mA.有关kPa-3010P3C的更多详细信息，请参阅下文。
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