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KPDEA007-56F 光电二极管

KPDEA007-56F

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日本
分类:光电二极管

更新时间:2023-01-06 14:51:27

型号: KPDEA007-56FInGaAs Avalanche Photodiode

KPDEA007-56F概述

来自Kyoto Semiconductors的KPDEA007-56F是一款光电二极管,波长范围为1310至1550 nm,带宽为3 GHz,电容为0.38至0.8 PF,暗电流为10至50 nA,响应度/光敏度为0.85至1.05 A/W.有关KPDEA007-56F的更多详细信息,

KPDEA007-56F参数

  • 光电探测器类型 / Photodetector Type : Avalanche
  • 工作模式 / Operation Mode : Photovoltaic
  • 波长范围 / Wavelength Range : 1310 to 1550 nm
  • 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
  • 电容 / Capacitance : 0.38 to 0.8 pF
  • 暗电流 / Dark Current : 10 to 50 nA
  • 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.85 to 1.05 A/W

KPDEA007-56F规格书

KPDEA007-56F厂家介绍

Kyosemi公司于1980年4月在日本京都成立,是一家制造光半导体器件的风险投资公司。36年来,我们克服了许多考验;将我们的基地从京都扩展到东京、北海道和硅谷;并巩固了我们作为专业光半导体器件制造商的市场地位。为此,我向Kyosemi的所有客户和利益相关者表示衷心的感谢。

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