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KPDA100P-H8 光电二极管

KPDA100P-H8

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日本
分类:光电二极管

更新时间:2023-01-06 14:51:27

型号: KPDA100P-H8Si Avalanche Photodiode

KPDA100P-H8概述

Kyoto Semiconductors的KPDA100P-H8是一款光电二极管,波长范围为400至1000 nm,带宽为600 MHz,电容为5.5至7 PF,暗电流为0.03至1 nA,响应度/光敏度为0.4至0.45 A/W.有关KPDA100P-H8的更多详细信息,

KPDA100P-H8参数

  • 光电探测器类型 / Photodetector Type : Avalanche
  • 工作模式 / Operation Mode : Photovoltaic
  • 波长范围 / Wavelength Range : 400 to 1000 nm
  • 光电二极管材料 / Photodiode Material : Silicon
  • 电容 / Capacitance : 5.5 to 7 pF
  • 暗电流 / Dark Current : 0.03 to 1 nA
  • 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.4 to 0.45 A/W

KPDA100P-H8规格书

KPDA100P-H8厂家介绍

Kyosemi公司于1980年4月在日本京都成立,是一家制造光半导体器件的风险投资公司。36年来,我们克服了许多考验;将我们的基地从京都扩展到东京、北海道和硅谷;并巩固了我们作为专业光半导体器件制造商的市场地位。为此,我向Kyosemi的所有客户和利益相关者表示衷心的感谢。

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