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IAV80BL概述
IAV80BL参数
- 光电探测器类型 / Photodetector Type : Avalanche
- 波长范围 / Wavelength Range : 1 to 1.63 µm
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
- 电容 / Capacitance : 0.35 to 0.45 pF
- 暗电流 / Dark Current : 4 to 15 nA
- 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.85 to 0.95 A/W
IAV80BL规格书
IAV80BL厂家介绍
GPD Optoelectronics成立于1973年，当时名为锗功率器件公司（Germanium Power Devices Corp.）。我们较初生产高质量的锗晶体管，但自20世纪80年代初以来，我们已成为值得信赖的锗和砷化铟镓光电二极管制造商。随着经验的积累，我们的技术能力和生产能力得到了提高，较终我们的规模扩大了一倍，搬到了位于新罕布什尔州塞勒姆的新工厂。
GPD自1973年以来一直是功率和高速锗晶体管和二极管的制造商，自1985年以来是红外光电探测器的制造商。GPD提供Ge、p-n、p-i-n、APD和InGaAs p-i-n高速和大面积光电探测器，用于辐射检测和电信应用。GPD拥有符合MIL-I-45208的检验系统。光电二极管须符合Telcordia测试要求（TA-NWT-00093）、MIL-STD-883测试方法和/或客户规格。
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图片名称分类制造商参数描述
- S-10CL光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 970 nm响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的S-10CL是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为30 PF，暗电流为40 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.S-10CL的更多详细信息见下文。
- EPD-525-0-2.5光电二极管Roithner Lasertechnik
响应度/光敏度: 0.08 A/W
Roithner Lasertechnik的EPD-525-0-2.5是一款光电二极管，带宽为60 nm，电容为350 PF，暗电流为50至300 pA，响应度/光敏度为0.08 A/W.EPD-525-0-2.5的更多详情见下文。
- SD039-121-011光电二极管Luna Innovations
Luna Innovations的SD039-121-011是一款光电二极管，波长范围为450至1700 nm，电容为180 PF，暗电流为100 nA.有关SD039-121-011的更多详细信息，请参阅下文。
- I-.30光电二极管New England Photoconductor
波长范围: 1300 to 1550 nm响应度/光敏度: 0.8 to 0.95 A/W
来自New England Photoconductor的I-.30是一款光电二极管，波长范围为1300至1550 nm，电容为4至8 PF，暗电流为1至5 nA，响应度/光敏度为0.8至0.95 A/W.I-.30的更多详情见下文。
- GUVB-T21GD-U光电二极管GenUV
波长范围: 220 to 320 nm响应度/光敏度: 0.13 A/W
Genuv的GUVB-T21GD-U是一款光电二极管，波长范围为220至320 nm，暗电流为90 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T21GD-U的更多详细信息，请参见下文。
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