天津大学：研究人员利用超导纳米线单光子探测器将非视距成像技术扩展到近红外和中红外波长
天津大学研究人员描述了利用一种被称为超导纳米线单光子探测器的先进光传感元件进行非视距成像的首次演示。这种探测器具有从 X 射线到中红外波长的单光子灵敏度，使研究人员能够将成像技术的光谱范围扩展到1560 nm和1997 nm的近红外和中红外波长。研究人员还开发了一种新算法，以进一步改进系统获得的图像。
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GAP1000TE2
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2024-06-05 17:55:52
型号: GAP1000TE2
概述
参数
- 波长范围 / Wavelength Range : Peak wavelength: 1.51 um
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
- RoHS / RoHs : Yes
- 电容 / Capacitance : 80 pF
- 暗电流 / Dark Current : 2 nA
- 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.95 to 1 A/W
规格书
厂家介绍
GPD Optoelectronics成立于1973年，当时名为锗功率器件公司（Germanium Power Devices Corp.）。我们较初生产高质量的锗晶体管，但自20世纪80年代初以来，我们已成为值得信赖的锗和砷化铟镓光电二极管制造商。随着经验的积累，我们的技术能力和生产能力得到了提高，较终我们的规模扩大了一倍，搬到了位于新罕布什尔州塞勒姆的新工厂。
GPD自1973年以来一直是功率和高速锗晶体管和二极管的制造商，自1985年以来是红外光电探测器的制造商。GPD提供Ge、p-n、p-i-n、APD和InGaAs p-i-n高速和大面积光电探测器，用于辐射检测和电信应用。GPD拥有符合MIL-I-45208的检验系统。光电二极管须符合Telcordia测试要求（TA-NWT-00093）、MIL-STD-883测试方法和/或客户规格。
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图片名称分类制造商参数描述
- 9269B - 78mm Photomultiplier Tube光电二极管ADIT Electron Tubes
波长范围: 295 - 680 nm
光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。
- IG24X1000S4i光电二极管Laser Components
Laser Components的IG24x1000S4i是一款光学探测器，截止波长范围为2.35µm，暗电流为2.5至25 nA，电容为1040 PF，响应度/光敏度为1.40至1.25 A/W，有效面积直径为1000µm.有关IG24x1000S4i的更多详细信息，请参阅下文。
- PIN-HR026光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 800 nm响应度/光敏度: 0.45 to 0.50 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的PIN HR026是一种光电二极管，波长范围为800 nm，电容为2.6 PF，暗电流为0.1至1.5 nA，响应度/光敏度为0.45至0.50 A/W，上升时间为0.9 ns.有关引脚HR026的更多详细信息，请参见下文。
- S-100CL光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 970 nm响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的S-100CL是一款光电二极管，波长范围为970 nm，电容为375 PF，暗电流为600 nA，响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W.S-100CL的更多详细信息见下文。
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波长范围: 900 to 1700 nm响应度/光敏度: 0.85 to 0.95 A/W
OSI Optoelectronics的FCI-InGaAs-Qxxx系列是一款光电二极管，波长范围为900至1700 nm，电容为25至225 PF，暗电流为0.5至100 nA，响应度/光敏度为0.85至0.95 A/W，上升时间为3至24 ns.有关FCI-InGaAs-Qxxx系列的更多详细信息，请参见下文。
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