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下载规格书 天津大学：研究人员利用超导纳米线单光子探测器将非视距成像技术扩展到近红外和中红外波长
天津大学研究人员描述了利用一种被称为超导纳米线单光子探测器的先进光传感元件进行非视距成像的首次演示。这种探测器具有从 X 射线到中红外波长的单光子灵敏度，使研究人员能够将成像技术的光谱范围扩展到1560 nm和1997 nm的近红外和中红外波长。研究人员还开发了一种新算法，以进一步改进系统获得的图像。
全部产品分类
概述
参数
- 光电探测器类型 / Photodetector Type : PIN
- 波长范围 / Wavelength Range : 940 nm
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : Silicon
- RoHS / RoHs : Yes
- 电容 / Capacitance : 25 pF
- 暗电流 / Dark Current : 5 to 30 nA
规格书
厂家介绍
亿光电子创立于1983年，以超过四十年以上于LED产业的深厚实力，整合专业研发、业务及市场团队，以客户需求为导向，就其各种不同的应用提供完整全方位的解决方案，产品线包括High Power LEDs, SMD LEDs, Lamps, Lighting Components, LED Lighting Modules, Digital Displays, Opto-couplers and Infrared Components等。
相关产品
图片名称分类制造商参数描述
- 9780B - 29mm Photomultiplier Tube光电二极管ADIT Electron Tubes
波长范围: 165 - 680 nm
光电倍增管（PMT）采用Adit电子管。
- UVG100光电二极管Opto Diode Corporation
Opto Diode Corporation的UVG100是一款光学检测器，波长范围为1至400 nm，上升时间为10µs，电容为10至20 NF，响应度/光敏度为0.08至0.13 A/W.有关UVG100的更多详细信息，请参见下文。
- FGA01光电二极管Thorlabs Inc
Thorlabs公司的FGA01是一款光学探测器，波长范围为800至1700 nm，上升时间为300 PS，暗电流为0.05 nA，电容为2 PF.有关FGA01的更多详细信息，请参阅下文。
- FCI-GaAs-12M光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 850 nm响应度/光敏度: 0.63 A/W
来自OSI Laser Diode，Inc.的FCI-GaAs-12M是波长范围为850 nm、带宽为2 GHz、电容为0.65 PF、暗电流为0.03 nA、响应度/光敏度为0.63 A/W的光电二极管。
- BXP-35E光电二极管Opto Diode Corporation
波长范围: 3.6 to 3.8 µm
Opto Diode Corporation的BXP-35E是一款基于单通道PbSe的光电二极管，响应速度快，适用于中红外应用。它的有源元件面积为9平方米。该光电二极管的峰值灵敏度波长为3.8µm，响应度为1.5 X 10^4 V/W，电阻为0.5-1.75 mΩ，时间常数高达5µs.红外光电二极管可在宽动态范围内提供高信噪比性能。该器件采用TO5封装，配有平面蓝宝石窗口，适用于医疗/工业气体分析、排放监测、光谱学、过程控制系统、热成像以及国防与安全应用。
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什么是直接二极管激光器（Direct Diode Lasers）？
直接二极管激光器（DDL）是一种激光振荡器，它使用棱镜和透镜来集中来自半导体激光器阵列组成的激光二极管（LD）堆栈模块的激光束