OP999

Marktech Si APD和APOS提供波长在400 nm和1100 nm之间的低强度光和短脉冲探测。它们的特点是可选择230μm或500μm的有效面积；800nm或905nm峰值响应的光学灵敏度优化内部增益机制；低偏置电压下的高增益；极快的上升时间低至300 PS；频率响应可达1 GHz；和80V-200V的低击穿电压。装置也符合RoHS标准。标准Si APD提供多种定制选项，包括工作电压选择、特定波长带通滤波和混合。封装选项包括密封到金属罐和高性价比SMD（LCC）类型，可根据要求进行额外定制。MTAPD-06-XXX是一款圆形（Ф500um）2 mm2有效面积雪崩光电二极管，具有800 nm的优化灵敏度，采用密封TO-46金属罐封装。它非常适合在可见-近红外应用中要求高速、低噪声的应用。

Opto Diode Corporation的AP-58是一款光学探测器，波长范围为2.2至2.4µm，响应度/光敏度为1.6x10 5 V/W.有关AP-58的更多详细信息，请参见下文。

波长范围: 1000 to 1700 nm响应度/光敏度: 9.4 A/W

Excelitas Technologies的C30645L-080是一款InGaAs雪崩光电二极管，工作波长范围为1000至1700 nm.其击穿电压为45~70 V，响应度为9.4 A/W，量子效率为75%，上升/下降时间为0.3 ns.它的正向电流为5 mA，反向电流为0.4 mA，功耗为20 MW.C30645L-080在低暗电流和噪声下提供高响应度和量子效率。这款光电二极管采用陶瓷SMT封装，尺寸为3.00 X 2.70 X 1.35 mm，非常适合激光雷达/飞行时间测量、人眼安全激光测距、光时域反射计、光通信系统、激光扫描和大批量消费电子应用。

波长范围: 400 to 1100 nm响应度/光敏度: 0.4 to 0.62 A/W

First Sensor的500068是一款光电二极管，波长范围为400至1100 nm，电容为300至1000 PF，暗电流为800至2000 nA，响应度/光敏度为0.4至0.62 A/W.500068的更多详情见下文。

波长范围: 850 to 1550 nm响应度/光敏度: 0.10 to 0.95 A/W

GPD Optoelectronics的GAP3000是一款光电二极管，波长范围为850至1550 nm，带宽为12 MHz，电容为2500至1000 PF，暗电流为200至500 nA，响应度/光敏度为0.10至0.95 A/W.有关GAP3000的更多详细信息，请参见下文。