激光二极管是一种半导体设备，它将电能直接转换为一束聚焦的光。
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501817
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获取报价 收藏 下载规格书 更新时间：2024-06-05 17:55:28
型号: 501817Selected chips are also available with bandpass (BP) filter
概述
参数
- 光电探测器类型 / Photodetector Type : Avalanche
- 波长范围 / Wavelength Range : 400 to 1100 nm
- 电容 / Capacitance : 0.3 pF
- 暗电流 / Dark Current : 0.5 to 1 nA
- 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 42 to 60 A/W
- 窗口材料 / Window Material : Clear Glass
规格书
厂家介绍
First Sensor是传感器系统领域全球领先的供应商之一。在不断增长的传感器系统市场中，First Sensor为工业、医疗和移动目标市场中不断增加的应用开发和生产客户特定的解决方案。
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图片名称分类制造商参数描述
- CD-25T光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 970 nm响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W
来自OSI Laser Diode，Inc.的CD-25T是波长范围为970nm、电容为50pF、暗电流为20nA、响应度/光敏度为0.60至0.65A/W、上升时间为18ns的光电二极管。有关CD-25T的更多详细信息，请参阅下文。
- OSD60-0光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 900 nm响应度/光敏度: 0.47 to 0.54 A/W
来自OSI Laser Diode，Inc.的OSD60-0是波长范围为900 nm、电容为75至600 PF、暗电流为15至50 nA、响应度/光敏度为0.47至0.54 A/W、上升时间为14 ns的光电二极管。有关OSD60-0的更多详细信息，请参阅下文。
- PIN-DSIn-TEC光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
OSI Laser Diode，Inc.的PIN-DSIN-TEC是一款光电二极管，波长范围为1000至1800 nm（InGaAs），电容为450 PF（Si-TOP）、300 PF（InGaAs），响应度/光敏度为0.55 A/W（Si-TOP）、0.6 A/W（InGaAs），上升时间为4µs.有关PIN-DSIN-TEC的更多详细信息，请参阅下文。
- UV-100光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 254 nm响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的UV-100是一款光电二极管，波长范围为254 nm，电容为4500 PF，响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W，上升时间为5.9µs.有关UV-100的更多详细信息，请参见下文。
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