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全部产品分类
概述
参数
- 光电探测器类型 / Photodetector Type : Avalanche
- 波长范围 / Wavelength Range : 400 to 1100 nm
- 电容 / Capacitance : 2.2 pF
- 暗电流 / Dark Current : 0.5 to 2 nA
- 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 45 to 50 A/W
- 窗口材料 / Window Material : borosilicate glass
规格书
厂家介绍
First Sensor是传感器系统领域全球领先的供应商之一。在不断增长的传感器系统市场中，First Sensor为工业、医疗和移动目标市场中不断增加的应用开发和生产客户特定的解决方案。
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图片名称分类制造商参数描述
- Photomultiplier Tube PMT-186 PMT-186-1光电二极管Electron National Research Institute
波长范围: 260 - 750 nm
PMT-186（PMT-186-1）具有SBKNACS光电阴极和线性14倍增极倍增系统。PMT-186-1在先进个倍增极之前还有两个前置光电阴极栅极，它可以在受控模式下工作。该设备用于记录可见光和近红外范围内的脉冲信号，以进行多光谱研究。
- FCI-InGaAs-36C光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 1310 to 1550 nm响应度/光敏度: 0.75 to 0.85 A/W
OSI Laser Diode，Inc.生产的FCI-InGaAs-36C是一款光电二极管，波长范围为1310至1550 nm，带宽为9 GHz，电容为0.16至0.20 PF，暗电流为0.5至2 nA，响应度/光敏度为0.75至0.85 A/W.FCI-InGaAs-36C的更多详情见下文。
- OSD60-5T光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 436nm响应度/光敏度: 0.18 to 0.21 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的OSD60-5T是一款光电二极管，波长范围为436nm，电容为1800 PF，暗电流为25 nA，响应度/光敏度为0.18至0.21 A/W，上升时间为30µs.有关OSD60-5T的更多详细信息，请参阅下文。
- UV-005EQ光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 720 nm响应度/光敏度: 0.12 to 0.36 A/W
OSI Laser Diode，Inc.的UV-005EQ是一款光电二极管，波长范围为720 nm，电容为140 PF，响应度/光敏度为0.12至0.36 A/W，上升时间为0.5µs，有效区域直径为2.4 mm.有关UV-005EQ的更多详细信息，请参阅下文。
- GUVB-T11GD光电二极管GenUV
波长范围: 220 to 320 nm响应度/光敏度: 0.13 A/W
Genuv的GUVB-T11GD是一款光电二极管，波长范围为220至320 nm，暗电流为1 nA，响应度/光敏度为0.13 A/W.有关GUVB-T11GD的更多详细信息，请参见下文。
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