SAH1L12-Series
更新时间:2023-12-29 09:52:19
概述
参数
- 光电探测器类型 / Photodetector Type : Avalanche
- 波长范围 / Wavelength Range : 850 nm
- 光电二极管材料 / Photodiode Material : Silicon
- 电容 / Capacitance : 3 pF
- 暗电流 / Dark Current : 4 to 10 nA
- 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 40 to 50 A/W
图片集
规格书
厂家介绍
相关产品
- IG22X1000S4i光电二极管Laser Components
来自Laser Components的IG22X1000S4I是一款光学探测器,其波长范围截止波长为:2.2µm,暗电流为0.2至2.5 nA,响应度/光敏度为0.1至1.9 A/W,有效面积直径为1000µm.有关IG22X1000S4i的更多详细信息,请参阅下文。
- TEFD4300F光电二极管Vishay Intertechnology
波长范围: 950 nm
Vishay Intertechnology的TEFD4300F是一款光电二极管,波长范围为950 nm,电容为1.2至3.3 PF,暗电流为0.15至3 nA,上升时间为100 ns.有关TEFD4300F的更多详细信息,请参阅下文。
- PIN-5-YAG光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 1000 nm响应度/光敏度: 0.60 A/W
来自OSI Laser Diode,Inc.的PIN-5-YAG是波长范围为1000nm、电容为5pF、暗电流为40nA、响应度/光敏度为0.60A/W、上升时间为10ns的光电二极管。下面可以看到PIN-5-YAG的更多详细信息。
- PIN-5DI光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 970 nm响应度/光敏度: 0.60 to 0.65 A/W
OSI Laser Diode,Inc.的PIN-5DI是一种光电二极管,波长范围为970 nm,电容为15至85 PF,暗电流为0.25至3 nA,响应度/光敏度为0.60至0.65 A/W,上升时间为12 ns.有关引脚5DI的更多详细信息,请参见下文。
- UV-20光电二极管OSI Laser Diode, Inc.
波长范围: 254 nm响应度/光敏度: 0.09 to 0.14 A/W
OSI Laser Diode,Inc.的UV-20是一款光电二极管,波长范围为254 nm,电容为1000 PF,响应度/光敏度为0.09至0.14 A/W,上升时间为2µs.有关UV-20的更多详细信息,请参见下文。
相关文章
天津大学:研究人员利用超导纳米线单光子探测器将非视距成像技术扩展到近红外和中红外波长
天津大学研究人员描述了利用一种被称为超导纳米线单光子探测器的先进光传感元件进行非视距成像的首次演示。这种探测器具有从 X 射线到中红外波长的单光子灵敏度,使研究人员能够将成像技术的光谱范围扩展到1560 nm和1997 nm的近红外和中红外波长。研究人员还开发了一种新算法,以进一步改进系统获得的图像。
Marktech Optoelectronics宣布推出创新四象限硅光电二极管- MT03-072
Marktech Optoelectronics 是光电元件领域的知名领先企业,现隆重推出其最新创新产品象限硅光电二极管(部件号 MT03-072)。这款先进的光电二极管可满足光束定心、光束归零、位置定心、光束对准、光镊、原子力显微镜 (AFM)、精细太阳传感器 (FSS) 和自由空间光学接收器等应用的高级需求。
什么是直接二极管激光器(Direct Diode Lasers)?
直接二极管激光器(DDL)是一种激光振荡器,它使用棱镜和透镜来集中来自半导体激光器阵列组成的激光二极管(LD)堆栈模块的激光束