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INO00AA10D102 光电二极管

INO00AA10D102

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美国
分类:光电二极管
厂家:贰陆公司

更新时间:2024-02-07 09:54:20

型号: INO00AA10D102Edge-illuminated Self-hermetic Monitor Photodiode (EMPD) Chip

概述

这是一款边缘发光的InGaAs监测光电二极管芯片,具有210μm x 210μm的标称活动区域,能在-40°C至90°C的温度范围内工作,按照GR-468标准进行认证,适用于非密封封装,具有极低的暗电流和高可靠性,对1270-1620nm的光响应良好,典型的响应度为1310nm处的0.8 A/W。

参数

  • 工作模式 / Operation Mode : Photoconductive
  • 波长范围 / Wavelength Range : 1270 to 1620 nm
  • 光电二极管材料 / Photodiode Material : InGaAs
  • RoHS / RoHs : Yes
  • 电容 / Capacitance : 5 to 10 pF
  • 暗电流 / Dark Current : 1 to 120 nA
  • 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.8 A/W
  • 响应度 / Responsivity : 0.8 A/W
  • 暗电流 / Dark Current : 1-2 nA
  • 电容 / Capacitance : 5-10 pF
  • 反向电流 / Reverse Current : 10 mA
  • 工作温度 / Operating Temperature : -40 to 90 °C
  • 储存温度 / Storage Temperature : -40 to 120 °C
  • 静电放电阈值(人体模型) / ESD Threshold (HBM) : 300 V

应用

1.非密封封装应用
2.宽带光通讯系统

特征

1.边缘发光InGaAs监测光电二极管
2.极低暗电流与高可靠性
3.符合RoHS标准
4.适用于宽温度范围
5.灵敏地响应1270-1620nm波长

图片集

INO00AA10D102图1
INO00AA10D102图2

规格书

厂家介绍

II-VI Incorporated是工程材料和光电元件领域的全球做的较好的,是一家垂直整合的制造公司,为通信、工业、航空航天和国防、半导体资本设备、生命科学、消费电子和汽车市场的多样化应用开发创新产品。该公司总部位于宾夕法尼亚州萨克森堡,在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。该公司生产各种特定应用的光子和电子材料和组件,并以各种形式部署它们,包括与先进的软件集成,以支持我们的客户。

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