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APA1201120000 光电二极管

APA1201120000

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美国
分类:光电二极管
厂家:贰陆公司

更新时间:2024-02-07 09:52:10

型号: APA1201120000850nm 25Gb/s GaAs PIN Photodiode

概述

850nm波长的高速镓砷(GaAs)PIN光电二极管,具有高响应度、低操作电压、低电容、低暗电流,支持高达25Gb/s的数据传输速率,适用于多种封装形式。

参数

  • 光电探测器类型 / Photodetector Type : PIN
  • 工作模式 / Operation Mode : Photoconductive
  • 光电二极管材料 / Photodiode Material : GaAs
  • RoHS / RoHs : Yes
  • 电容 / Capacitance : 50 to 100 fF
  • 暗电流 / Dark Current : 3 to 100 pA
  • 响应度/光敏度 / Responsivity/Photosensitivity : 0.55 to 0.65 A/W
  • 孔径直径 / Aperture Diameter : 40µm
  • 波长 / Wavelength : 840-860nm
  • 响应度 / Responsivity : 0.55-0.65A/W
  • 暗电流 / Dark Current : 3-100pA
  • 击穿电压 / Breakdown Voltage : -80V
  • 电容 / Capacitance : 50-100fF
  • 3dB带宽 / 3dB-Bandwidth : 20GHz
  • 工作温度 / Operating Temperature : -5 to +90°C
  • 储存温度 / Storage Temperature : -40 to +100°C
  • 安装温度(最大10秒) / Mounting Temperature (Max. 10sec) : 260°C

应用

1.数据通信2.并行多模光纤通信

特征

1.高响应度2.低操作电压3.低电容4.低暗电流5.支持高达25Gb/s的数据率6.正面阳极和阴极配置7.可作为1, 4 (photo) 和 12通道阵列芯片8.符合卤素和RoHS标准

图片集

APA1201120000图1

规格书

厂家介绍

II-VI Incorporated是工程材料和光电元件领域的全球做的较好的,是一家垂直整合的制造公司,为通信、工业、航空航天和国防、半导体资本设备、生命科学、消费电子和汽车市场的多样化应用开发创新产品。该公司总部位于宾夕法尼亚州萨克森堡,在全球拥有研发、制造、销售、服务和分销设施。该公司生产各种特定应用的光子和电子材料和组件,并以各种形式部署它们,包括与先进的软件集成,以支持我们的客户。

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